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新任教員・職員のご紹介 2022.10.1 ~ 2023.5.31

◎教員

材料創製部門 材料プロセス部《令和5年4月1日~》
教授 田川 美穂(TAGAWA, Miho)

 令和5年4月1日付で材料創製部門材料プロセス部に着任いたしました。これまで、未来エレクトロニクス集積研究センターにて、核酸等の生体分子の自己集合能を利用して、ナノ材料同士の相互作用を制御し、配列や高次構造を精密に制御しながら結晶化する研究を進めてまいりました。今後は本研究を更に発展させ、ナノスケールの構造制御により発現する物理現象を利用したセンシング技術やデバイス開発等の応用研究にも取り組んでいきたいと考えております。どうぞよろしくお願い申し上げます。

未来エレクトロニクス集積研究センター 研究戦略・共同研究推進部《令和4年10月1日~》
特任教授 藤田 静雄(FUJITA, Shizuo)

 京都大学を定年退職後に、令和4年10月1日付で研究戦略・共同研究推進部に着任しました。「次世代/次々世代半導体ネットワーク(仮称)」のもとで、C-TEFsを核とした研究活動のネットワーキングや新しい半導体デバイスの試作等の取り組みに参加させていただいております。私自身は、GaAsに始まりさまざまな半導体の研究を経験し、バンドギャップ5 eVを超える半導体に出会いました。この新しい材料とC-TEFsとの連携も大いに期待しています。厚い層をなすIMaSSスタッフの方々に支えていただくことを楽しみにしておりますので、どうぞよろしくお願いいたします。

トヨタ先端パワーエレクトロニクス寄附研究部門《令和5年4月1日~》
特任教授 小笠原 悟司(OGASAWARA, Satoshi)

 令和5年41日付で、トヨタ先端パワーエレクトロニクス寄付研究部門に着任いたしました。これまで,半導体電力変換器ならびにその応用,モータ駆動システム,パワーエレクトロニクス機器のEMI/EMCに関する研究に取り組んでまいりました。本研究部門では,GaNやSiCなどの次世代パワー半導体デバイスを用いた半導体電力変換器の高性能化と低雑音化の研究に取り組んでまいりたいと考えております。どうぞよろしくお願いいたします。

未来エレクトロニクス集積研究センター システム応用部《令和5年4月1日~》
特任教授 重松 浩一(SHIGEMATSU, Koichi) 山本真義研究室

 令和5年41日付で、未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センター システム応用部 山本研究室に特任教授として着任いたしました。パワーエレクトロニクス技術を用いたシステムは電動自動車,電動航空機,データセンターなど多くの応用分野があり,様々な研究がなされていますが,私は特に物理現象のモデリングとシミュレーション技術を用いた研究に携わっています。従来の電気のみならず,損失や熱,応力,電磁場など多くの工学分野をシームレスに取り扱うことでシステム全体の挙動を多方面から把握し,技術を向上させることが目的です。どうぞ宜しくお願い申し上げます。

ミライズテクノロジーズ先端パワーエレクトロニクス産学協同研究部門《令和5年4月1日~》
特任教授 長里 喜隆(NAGASATO, Yoshitaka)

 令和541日付でミライズテクノロジーズ先端パワーエレクトロニクス産学協同研究部門に着任致しました。()ミライズテクノロジーズにて縦型GaNパワーデバイスの研究開発に取り組んで参りました。本産学協同研究部門では、これまで以上に名古屋大学の先生方、産業界の皆様とも共に議論、協力させて頂きながら、GaNパワーデバイスの早期実用化を目指して、産学連携の取り組みをより一層加速して参りたいと考えております。どうぞよろしくお願い致します。

 

トヨタ先端パワーエレクトロニクス寄附研究部門《令和5年4月1日~》
特任准教授 髙木 健一(TAKAGI, Kenichi)

 はじめまして。このたび、トヨタ先端パワーエレクトロニクス寄付研究部門に赴任しましました髙木 健一と申します。これまで、自動車メーカーの中央研究所にて、ハイブリッド自動車および電気自動車向けの「半導体電力変換回路」の先行開発に従事してきました。モビリティ・インフラへの次世代半導体デバイス応用と,新規回路トポロジーの探索を行い、低炭素社会の実現に貢献していきたいと考えております。よろしくお願い致します。

システム創成部門 変換システム部《令和5年4月1日~》
助教 伊東山 登(ITOUYAMA, Noboru) 笠原研究室

 令和5年4月1日付で未来材料・システム研究所システム創成部門変換システム部助教に着任いたしました。昨年度までは同部門において特任助教として、混合気の爆轟現象(デトネーション)を用いた革新的宇宙推進機構をはじめとする,高エネルギ反応場(高温高圧かつ高エネルギ流束)の科学的理解について研究しておりました。今年度以降も引き続き当該研究を展開するとともに,高エネルギ反応場の科学の工学・社会利用の検討を進めていきたいと思います。引き続きどうぞよろしくお願いいたします。

高度計測技術実践センター ナノ加工計測部《令和5年4月1日~》
特任助教 本田 杏奈(HONDA, Anna) 加藤剛志研究室

 令和5年4月1日付で、高度計測技術実践センター ナノ加工計測部の特任助教に着任いたしました。これまで同センターにてマテリアル先端リサーチインフラ(ARIM)を活用した研究開発支援に取り組んで参りました。現在は、研究支援業務のほか、GaNにおける点欠陥解明および評価手法の確立に向けた半導体計測技術開発も取り組んでいます。これらの業務を通じて研究開発の活性化に貢献できるようにしていきたいと考えています。どうぞよろしくお願いいたします。

 

未来エレクトロニクス集積研究センター 国際客員部《令和5年4月1日~》
特任助教 楊 旭(YANG, Xu) プリストフセク研究室

 2023年4月1日より、未来材料・システム研究所 未来エレクトロニクス集積研究センターの特任助教に任命されました 。私はこれまで、先端デバイス技術を実現するための極限半導体材料の成長とその関連物理の研究を中心に進めてきました。IMaSSでは、特にリンを含むAlNとAlPNベースのヘテロ接合の新しい半導体の開発に関する研究を行う予定です。この研究は、より優れた材料の創製と超高効率な高周波・大電力デバイスの作製を両立させ、将来のスマート社会で使われる次世代通信技術に貢献することを目的としています。IMaSSの優れた研究プラットフォームを通じて、より多くの優秀な科学者やエンジニアと意見を交換し、協力する機会を得られることを楽しみにしています。

未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部《令和5年4月1日~》
特任助教 LIU, Xin(リュウ シン) 宇治原研究室

 令和5年4月1日付で、未来エレクトロニクス集積研究センター、宇治原研究室の特任助教に着任いたしました。これまで、半導体材料の結晶成長プロセスのシミュレーションと最適化に取り組んできました。 結晶成長のメカニズムは、結晶炉内の流れ、熱、物質移動などが深く関係しています。 マルチスケールのマルチフィジックス場の数値シミュレーションと機械学習やプロセス最適化アルゴリズムを組み合わせることで、結晶成長プロセスの開発・最適化サイクルを大幅に短縮することができます。今後の研究では、SiC結晶の溶液成長におけるマルチスケールモデリングと最適化です。目標は、SiC結晶表面モルフォロジーの形成メカニズムの解析であり、大型で高品質なSiC結晶成長の実現に貢献します。

 

 

◎事務職員

研究所事務部長《令和5年4月1日~》
伊藤 誠(ITO, Makoto)

 202341日付けで、研究所事務部長に着任いたしました。昨年度は情報環境部に在籍しており、機構の情報連携統括本部、名古屋大学の情報連携推進本部、情報基盤センター、DU構想、情報インシデントの対応に関する事務を担当しておりました。しかしながら、私は実際のところ財務関係の業務に長く携わってきました。というより、そのほとんどが財務関係です。よって、未来材料・システム研究所では、その経験を活かし、皆様方の協力のもと財源獲得に向けてお役に立てればと考えております。どうぞよろしくお願いいたします。

研究所総務課 課長補佐 《令和5年4月1日~》
武藤 真由美(MUTO, Mayumi)

 202341日付けで,研究所総務課人事係に配属になりました武藤です。配属前から若干の覚悟はしておりましたが,研究所全体のアグレッシブな動きにすでに圧倒されております。長年名古屋大学の職員として在籍しておりますので,優秀な職員の方々を存じ上げており,その方々の手も借りながら,未来材料・システム研究所の更なる発展のお役に立つことができれば光栄です。どうぞよろしくお願いいたします。

研究所総務課 人事係《令和5年1月1日~》
柴田 朋香(SHIBATA, Tomoka)

 令和511日付で研究所総務課人事係に新規採用職員として着任となり、未来材料・システム研究所の担当をさせて頂いております。中途採用職員として採用後、研究所に配属となり日々、新しいことを知る毎日です。至らない点や慣れない点も多く、関係者の方にはご迷惑をおかけすることもあるかと思いますが、丁寧な対応を心掛け、精一杯、研究所のお役にたてる様、精進してまいります。皆様、どうぞよろしくお願い致します。