C-TEFs

Organization

CIRFE -
Transformative Electronics
Facilities

エネルギー変換エレクトロニクス実験施設

エネルギー変換エレクトロニクス実験施設は、名古屋大学未来材料・システム研究所のクリーンルーム実験棟です。本施設は、GaN研究における結晶成長・デバイスプロセス・評価を同一スペースで行える約1,000㎡(クラス1,000:露光エリア、クラス10,000:プロセスエリア)の大空間クリーンルームを有し、研究開発の加速を図ります。

Movie

エネルギー変換エレクトロニクス実験施設 紹介ムービー

  • 紹介動画(2分37秒)

特徴

(1) GaNに特化したサブミクロン加工プロセスライン
結晶成長から電極形成までアンダーワンルーフでGaNパワーデバイスをスループロセス
i 線ステッパをはじめとした、サブミクロンに対応した充実した加工設備
専任の技術員による運営管理、プロセス受託
多様な料金設定による設備共用システム

 

(2)ターゲットデバイス
GaN on GaN 縦型パワーデバイス
GaN 系光デバイス
AlGaN/GaN 横型HEMT デバイス
窒化物半導体 未来デバイス

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Member

  • 施設長・教授《工学研究科》

    須田 淳
  • 副施設長・特任教授

    恩田 正一
  • 副施設長・特任教授

    加地 徹
  • 管理室長・特任教授

    笹岡 千秋
  • 技術グループ長

    西井 勝則
  • 副技術グループ長

    横山 隆弘
  • 研究員

    青戸 孝至
  • 研究員

    伊藤 正尚
  • 研究員

    岡林 晋司
  • 研究員

    木谷 剛
  • 研究員

    山本 浩樹
  • 研究員

    吉嗣 晃治