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産学協同研究部門

Section / Group

各部・グループ紹介

産総研・名大 窒化物半導体先進デバイス オープンイノベーションラボラトリ

産総研・名大 窒化物半導体先進デバイス オープンイノベーションラボラトリ


窒化物半導体を中心に、材料から応用に至る幅広い研究を行ないます。
『事業化へ向けた』「橋渡し」研究として、大学等における基礎研究の成果を、効果的・効率的に応用に結びつけることを目的としています。

  • AlGaN/GaN HEMT

  • Switching characteristics

  • Schematic of a novel directional LED based on evanescent wave coupling

  • Emission pattern

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Member

  • 特任教授

    王 学論
    研究テーマ

    光デバイス

  • 特任教授

    山田 永
    研究テーマ

    次世代パワー・高周波半導体の結晶成長とデバイス応用

ミライズテクノロジーズ先端パワーエレクトロニクス産学協同研究部門

 ミライズテクノロジーズ先端パワーエレクトロニクス産学協同研究部門では将来の電動車両の電動化システムの大電力化・高効率化・高周波化を見据え、窒化ガリウムパワー半導体の材料研究、デバイス研究、および応用システムの探索研究を推進します。

 

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Member

  • 特任教授

    恩田正一
    研究テーマ

    次世代パワー半導体材料の結晶成長および高品位化技術

  • 特任教授

    長里 喜隆
    研究テーマ

    窒化ガリウムパワーデバイスの作製プロセスおよびデバイス構造の研究

  • 特任准教授

    小島 淳
    研究テーマ

    次世代パワー半導体材料の高品位化技術と低コスト化技術の研究

  • 特任助教

    喜田 弘文
    研究テーマ

    窒化ガリウムパワーデバイスの作製プロセスおよびデバイス構造の研究

豊田合成GaN先端デバイス応用産学協同研究部門

豊田合成GaN先端デバイス応用産学協同研究部門

 

 豊田合成は、1986年に赤﨑特別教授、天野特別教授、豊田中央研究所との共同研究の機会に恵まれ、GaN材料に関わる基礎研究をスタートしました。 その研究成果をもとにLED事業を立ち上げ、LEDの普及に邁進してまいりました。研究から事業化および拡大・継続を経験する中で培ったコアコンピタンスを活用し、新たな事業の創出を目指します。

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Member

  • 特任教授

    岡 徹
    研究テーマ

    GaNパワーデバイスの応用に関する研究

  • 特任准教授

    牛田 泰久
    研究テーマ

    GaNの応用研究

  • 特任助教

    角谷 健吾
    研究テーマ

    ワイヤレス給電システム

  • 客員教授

    福島 英沖

旭化成次世代デバイス産学協同研究部門

旭化成次世代デバイス産学協同研究部門では、単結晶窒化アルミニム基板の特徴を生かした新規デバイスの探索研究および応用技術の開発を推進し、新規事業の創出を目指します。

旭化成次世代デバイス産学協同研究部門

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Member

  • 特任准教授

    吉川 陽
    研究テーマ

    ワイドバンドギャップ半導体デバイスのための薄膜成長技術の研究・開発

  • 特任助教

    張 梓懿(チョウ シイ)
    研究テーマ

    窒化物半導体による紫外発光素子に関する研究開発

豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門

豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門

 

窒化ガリウムを用いたパワーデバイスの実用化を目指し、下記の観点から研究を進めます。


①不純物や点欠陥を高精度に制御するエピタキシャル成長技術
②ゲート絶縁膜・MOS界面技術
③低ダメージ加工、イオン注入などプロセス技術
④超低損失化を実現するデバイス設計技術

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Member

  • 特任教授

    冨田 一義
    研究テーマ

    GaNパワーデバイス用の高品質エピタキシャル成長

  • 特任教授

    兼近 将一
    研究テーマ

    GaNパワーデバイスのプロセス技術およびデバイス設計・評価

三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門

三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門

三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門では、窒化ガリウム(GaN)の優れた物性を活用した新規デバイス構造の土台となる高品位GaN基板について、以下の内容で研究開発に取り組みます。

・基板品質(結晶欠陥、不純物等)とデバイス特性との相関調査及びメカニズム究明
・新規デバイス用GaN基板に求められる品質及び特性の明確化

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Member

  • 磯 憲二

    特任教授

    磯 憲司
    研究テーマ

    高性能半導体デバイス用高品位GaN基板の研究開発

  • 特任助教

    廣澤 拓哉
    研究テーマ

    高品質 GaN 基板上半導体デバイスの特性評価

Photo electron Soul GaN電子ビームデバイス産学協同研究部門

 (株)Photo electron Soul は、名古屋大学発企業であり、そして産業用半導体フォトカソード電子ビームシステムの世界唯一のサプライヤーです。本部門でのGaN 系半導体フォトカソードの研究開発を通じて、GaN の新たなアプリケーションである「GaN 電子ビームデバイス」の産業展開を加速しています。

 

Photo electron Soul GaN電子《ビームデバイス産学協同研究部門》

 

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Member

  • 特任講師

    鹿野 悠
    研究テーマ

    GaN 電子ビームデバイスの研究開発

  • 特任助教

    佐藤 大樹
    研究テーマ

    GaN 電子ビームデバイスの研究開発

UJ-Crystal超高品質SiC半導体産学協同研究部門

(株)UJ-Crystalは名古屋大学発ベンチャー企業であり、SiC溶液成長法技術、機械学習技術を用いて超高品質SiC単結晶基板の社会実装を早期に目指します。これにより、EVやスマートグリット分野でのさらなる省エネを図り、カーボンニュートラルに貢献します。

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Member

  • 特任准教授

    村山 健太
    研究テーマ

    高品質SiC結晶の溶液成長技術の研究