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Industry–Academia
Collaborative Chair

産学協同研究部門

Section / Group

各部・グループ紹介

産総研・名大 窒化物半導体先進デバイス オープンイノベーションラボラトリ

窒化物半導体を中心に、材料から応用に至る幅広い研究を行ないます。
『事業化へ向けた』「橋渡し」研究として、大学等における基礎研究の成果を、効果的・効率的に応用に
結びつけることを目的としています。

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Member

  • 特任教授

    清水 三聡
    研究テーマ

    GaNパワーエレクトロニクス

  • 特任教授

    王 学論
    研究テーマ

    光デバイス

トヨタ先端パワーエレクトロニクス産学協同研究部門

窒化ガリウムパワー半導体デバイスの実現に向けて、この部門は以下の新しい技術を研究開発しています。
1.高精度で欠陥、不純物および損傷の制御性を可能にする加工技術
2.低損失・高スイッチングデバイスのためのデバイス設計技術
3.高性能の新しい窒化ガリウムパワーデバイスを使用したシステムアプリケーション


縦型GaN-MOSFETの構造設計

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Member

  • 特任教授

    上杉 勉
    研究テーマ

    窒化ガリウムパワーデバイスの作製プロセスおよびデバイス構造の研究

  • 特任講師

    近藤 健
    研究テーマ

    窒化ガリウムパワーデバイスの作製プロセスおよびデバイス構造の研究

デンソー自動車用パワーエレクトロニクス産学協同研究部門

デンソー自動車用パワーエレクトロニクス産学協同研究部門では、将来のハイブリッド自動車、電気自動車、燃料電池自動車の電動化システムの大電力化・高周波化・高効率化を見据え、次世代パワー半導体の材料研究、デバイス研究、および応用システムの探索研究を推進します。

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Member

  • 特任教授

    恩田正一
    研究テーマ

    次世代パワー半導体材料の結晶成長および高品位化技術

  • 特任准教授

    小島 淳
    研究テーマ

    次世代パワー半導体材料の高品位化技術と低コスト化技術の研究

豊田合成GaN先端デバイス応用産学協同研究部門

豊田合成は、1986年に赤﨑(現)特別教授、天野(現)特別教授、豊田中央研究所との共同研究の機会に恵まれ、GaN材料に関わる基礎研究をスタートしました。 その研究成果をもとにLED事業を立ち上げ、LEDの普及に
邁進してまいりました。研究から事業化および拡大・継続を経験する中で培ったコアコンピタンスを活用し、新たな事業の創出を目指します。

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Member

  • 特任准教授

    牛田 泰久
    研究テーマ

    GaNの応用研究

  • 特任助教

    角谷 健吾
    研究テーマ

    ワイヤレス給電システム

  • 客員教授

    福島 英沖

旭化成次世代デバイス産学協同研究部門

旭化成次世代デバイス産学協同研究部門では、単結晶窒化アルミニム基板の特徴を生かした新規デバイスの探索研究および応用技術の開発を推進し、新規事業の創出を目指します。

2インチ単結晶AlN基板

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Member

  • 特任教授

    ショワルター レオ ジョン
    研究テーマ

    単結晶窒化アルミニウムを用いた次世代デバイスの研究開発

  • 特任准教授

    吉川 陽
    研究テーマ

    ワイドバンドギャップ半導体デバイスのための薄膜成長技術の研究・開発

  • 特任助教

    張 梓懿(チョウ シイ)
    研究テーマ

    窒化物半導体による紫外発光素子に関する研究開発

豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門

窒化ガリウムを用いたパワーデバイスの実用化を目指し、下記の観点から研究を進めます。


①不純物や点欠陥を高精度に制御するエピタキシャル成長技術
②ゲート絶縁膜・MOS界面技術
③低ダメージ加工、イオン注入などプロセス技術
④超低損失化を実現するデバイス設計技術"

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Member

  • 特任教授

    冨田 一義
    研究テーマ

    GaNパワーデバイス用の高品質エピタキシャル成長

  • 特任教授

    兼近 将一
    研究テーマ

    GaNパワーデバイスのプロセス技術およびデバイス設計・評価

三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門

三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門では、窒化ガリウム(GaN)の優れた物性を活用した
新規デバイス構造の土台となる高品位GaN基板について、以下の内容で研究開発に取り組みます。

・基板品質(結晶欠陥、不純物等)とデバイス特性との相関調査及びメカニズム究明
・新規デバイス用GaN基板に求められる品質及び特性の明確化

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Member

  • 特任教授

    下山 謙司
    研究テーマ

    高性能半導体デバイス用高品位GaN基板の研究開発

  • 特任助教

    三浦 輝紀
    研究テーマ

    高品質GaN基板上半導体デバイスの特性評価

ローム複合系シミュレーション産学協同研究部門

ローム複合系シミュレーション産学協同研究部門では、システムに最適なデバイス設計・開発を試作レスで達成するための統合シミュレーション技術の実現を目指します。

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Member

  • 特任講師

    梅上 大勝
  • 特任講師

    山口 敦司
    研究テーマ

    EVパワートレインシミュレーション向けデバイスモデル開発

デンソー革新的ナノカーボン応用産学協同研究部門

カーボンナノチューブに代表されるナノカーボンのユニークな特性を活かしたデバイスの実用化を目指し、特性の引き出しに必要な基盤技術および要素技術の構築に取り組みます。

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Member

  • 特任教授

    大島 久純
    研究テーマ

    ナノカーボン加工及びデバイスの研究開発

  • 特任准教授

    岩瀬 勝則
    研究テーマ

    ナノカーボンデバイスのシステム適用