IACC
Organization
Industry–Academia
Collaborative Chair
産学協同研究部門
Section / Group
各部・グループ紹介
産総研・名大 窒化物半導体先進デバイス オープンイノベーションラボラトリ
産総研・名大 窒化物半導体先進デバイス オープンイノベーションラボラトリ
窒化物半導体を中心に、材料から応用に至る幅広い研究を行ないます。
『事業化へ向けた』「橋渡し」研究として、大学等における基礎研究の成果を、効果的・効率的に応用に結びつけることを目的としています。
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AlGaN/GaN HEMT
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Switching characteristics
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Schematic of a novel directional LED based on evanescent wave coupling
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Emission pattern
ミライズテクノロジーズ先端パワーエレクトロニクス産学協同研究部門
ミライズテクノロジーズ先端パワーエレクトロニクス産学協同研究部門では将来の電動車両の電動化システムの大電力化・高効率化・高周波化を見据え、窒化ガリウムパワー半導体の材料研究、デバイス研究、および応用システムの探索研究を推進します。
豊田合成GaN先端デバイス応用産学協同研究部門
豊田合成GaN先端デバイス応用産学協同研究部門
豊田合成は、1986年に赤﨑特別教授、天野特別教授、豊田中央研究所との共同研究の機会に恵まれ、GaN材料に関わる基礎研究をスタートしました。 その研究成果をもとにLED事業を立ち上げ、LEDの普及に邁進してまいりました。研究から事業化および拡大・継続を経験する中で培ったコアコンピタンスを活用し、新たな事業の創出を目指します。
旭化成次世代デバイス産学協同研究部門
豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門
豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門
窒化ガリウムを用いたパワーデバイスの実用化を目指し、下記の観点から研究を進めます。
①不純物や点欠陥を高精度に制御するエピタキシャル成長技術
②ゲート絶縁膜・MOS界面技術
③低ダメージ加工、イオン注入などプロセス技術
④超低損失化を実現するデバイス設計技術
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- 図１：縦型トレンチGaNデバイス
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- 図２：N型低濃度エピのホール移動度
三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門
Photo electron Soul GaN電子ビームデバイス産学協同研究部門
（株）Photo electron Soul は、名古屋大学発企業であり、そして産業用半導体フォトカソード電子ビームシステムの世界唯一のサプライヤーです。本部門でのGaN 系半導体フォトカソードの研究開発を通じて、GaN の新たなアプリケーションである「GaN 電子ビームデバイス」の産業展開を加速しています。
Photo electron Soul GaN電子《ビームデバイス産学協同研究部門》
