産学協同研究部門

窒化物半導体を中心に、材料から応用に至る幅広い研究を行ないます。
『事業化へ向けた』「橋渡し」研究として、大学等における基礎研究の成果を、効果的・効率的に応用に
結びつけることを目的としています。

　人と地球が共生できる持続可能な社会を目指し、将来モビリティーのパワーエレクトロニクス技術の研究を進めます。ワイドギャップ半導体の材料、デバイス、システム応用の広い視野から研究を行い、持続可能な社会の実現と、次代を担う人材の育成に貢献します。

　豊田合成は、1986年に赤﨑特別教授、天野特別教授、豊田中央研究所との共同研究の機会に恵まれ、GaN材料に関わる基礎研究をスタートしました。 その研究成果をもとにLED事業を立ち上げ、LEDの普及に邁進してまいりました。研究から事業化および拡大・継続を経験する中で培ったコアコンピタンスを活用し、新たな事業の創出を目指します。

旭化成次世代デバイス産学協同研究部門では、単結晶窒化アルミニム基板の特徴を生かした新規デバイスの探索研究および応用技術の開発を推進し、新規事業の創出を目指します。

2インチ単結晶AlN基板

窒化ガリウムを用いたパワーデバイスの実用化を目指し、下記の観点から研究を進めます。

①不純物や点欠陥を高精度に制御するエピタキシャル成長技術
②ゲート絶縁膜・MOS界面技術
③低ダメージ加工、イオン注入などプロセス技術
④超低損失化を実現するデバイス設計技術

三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門では、窒化ガリウム(GaN)の優れた物性を活用した
新規デバイス構造の土台となる高品位GaN基板について、以下の内容で研究開発に取り組みます。

・基板品質(結晶欠陥、不純物等)とデバイス特性との相関調査及びメカニズム究明
・新規デバイス用GaN基板に求められる品質及び特性の明確化

　（株）Photo electron Soul は、名古屋大学発企業であり、そして産業用半導体フォトカソード電子ビームシステムの世界唯一のサプライヤーです。本部門でのGaN 系半導体フォトカソードの研究開発を通じて、GaN の新たなアプリケーションである「GaN 電子ビームデバイス」の産業展開を加速しています。