ニュース

豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門

下記の観点から研究を進めています。

①不純物や点欠陥を高精度に制御するエピタキシャル成長技術
②ゲート絶縁膜・ＭＯＳ界面技術
③低ダメージ加工、イオン注入などプロセス技術
④超低損失を実現するデバイス設計技術