2021.04.12 豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門 豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門 窒化ガリウムを用いたパワーデバイスの実用化を目指し、下記の観点から研究を進めます。 ①不純物や点欠陥を高精度に制御するエピタキシャル成長技術②ゲート絶縁膜・MOS界面技術③低ダメージ加工、イオン注入などプロセス技術④超低損失化を実現するデバイス設計技術 図1:縦型トレンチGaNデバイス 図2:N型低濃度エピのホール移動度