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三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門では、窒化ガリウム(GaN)の優れた物性を活用した新規デバイス構造の土台となる高品位GaN基板について、以下の内容で研究開発に取り組みます。

・基板品質(結晶欠陥、不純物等)とデバイス特性との相関調査及びメカニズム究明
・新規デバイス用GaN基板に求められる品質及び特性の明確化