ニュース

未来エレクトロニクス集積研究センター システム応用部《令和5年10月1日～》
特任准教授　米澤 遊（YONEZAWA, Yu）　　山本真義研究室

　IT関連メーカにて電源の研究開発に取り組んだ経験を活かし、GaN & SiC パワー半導体を活用した高効率電力変換回路の開発に従事して参ります。新しいパワー半導体は低損失・高速な特徴により小型・高密度化による電動自動車の設計の変革、電子機器の小型化による使い方の変革などが期待できます。一方ノイズ発生や故障モードの変化、冷却方法の変化など新しい課題も現れております。私はこれらの課題に回路研究者の視点からの研究開発を行い、新デバイスの応用技術の普及と教育に取り組んで参ります。どうぞよろしくお願い致します。

材料創製部門 材料設計部《令和5年7月1日～》
特任助教　強 博文　チイアン ボーウン　(QIANG, Bowen)　　水口研究室

　近年、トポロジカルスピン構造を持つ磁気スキルミオンは、実空間でナノスケールのサイズと強力な有効磁場を生成することにより、次世代のスピントロニクス材料として注目を集めています。一方で、スピンカロリトロニクスの分野においては、スキルミオンがまだ発展途上であり、その熱電変換への応用には膨大な価値と潜在的な可能性が秘められていると考えています。私は、熱電変換の高効率化を目指し、スキルミオンを活用してその熱電効果に焦点を当てた研究に取り組んでいます。

三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門《令和5年9月1日～》
特任助教　廣澤 拓哉　(HIROSAWA, Takuya)　

　令和5年9月1日付で、三菱ケミカルGaN基板デバイス産学協同研究部門に特任助教として着任致しました。これまで三菱ケミカル(株)にて、ハイドライド気相成長(HVPE)を用いた高品位GaN単結晶の作製の研究に携わっておりました。本研究部門では、 GaN基板の基板品質とデバイス特性との相関調査、新規デバイス構造の土台となる高品位GaN基板に求められる結晶品質や特性の明確化を目的として研究に従事致します。

研究所総務課 予算企画係 係長《令和5年7月1日～》
原田 直亮（HARADA, Naoaki）

2023年7月1日付けで、研究所総務課予算企画係に配属となりました。 未来材料・システム研究所は予算規模も大きく、その把握や処理等に日々難儀していますが、一方で、最先端の研究に予算の面から携われることを光栄に思います。 私自身は事務局経験が長く、部局事務の経験がほとんどありません。そのため、至らない点等多々あるかと思いますが、教員・職員の皆様のご助力を頂きながら、職務を全うしたいと考えておりますので、どうぞよろしくお願いいたします。

研究所総務課 総務グループ 主任《令和5年7月1日～》
塚崎 絢子（TSUKASAKI, Ayako）

　令和５年７月1日付で研究所総務課総務グループに着任し、未来材料・システム研究所の担当をさせて頂いております。研究所配属前は、医学部・医学部附属病院の総務課にて勤務しておりました。別部局・東山地区での勤務は初めてのため、至らないこともあるかと存じますが、日々精進し、研究所の発展のお役にたてるよう努めてまいります。皆様、どうぞよろしくお願い致します。