半導体デバイス内での、穴や溝などの構造の深さを穴径や溝幅で割った比率。3D NANDデバイスにおいて、メモリーセルや配線層間接続などの形成では、10以上の高いアスペクト比を持つ構造が不可欠となっている。
《使用例》
名大発 “GaN系”技術で半導体製造の重要課題を打開! キオクシア岩手で検査・計測の基盤技術化プロジェクト始動
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用語解説
半導体デバイス内での、穴や溝などの構造の深さを穴径や溝幅で割った比率。3D NANDデバイスにおいて、メモリーセルや配線層間接続などの形成では、10以上の高いアスペクト比を持つ構造が不可欠となっている。
《使用例》
名大発 “GaN系”技術で半導体製造の重要課題を打開! キオクシア岩手で検査・計測の基盤技術化プロジェクト始動