結晶欠陥

結晶格子の乱れ。原子空孔や格子間原子、不純物原子、転位、析出物など。結晶欠陥自身は半導体デバイス特性を低下させる要因となるが、デバイス活性領域外に適切に形成された結晶欠陥は活性領域の金属不純物を捕獲する（ゲッタリング）など、半導体デバイス特性の向上に寄与する。