Joint Usage / Research Center

Summary and Call for Proposals

共同利用・共同研究

概要及び公募

「革新的省エネルギーのための材料とシステム研究拠点」

当研究所は、文科省から「革新的省エネルギーのための材料とシステム研究拠点」として認定され、エネルギーの創出・変換、蓄積、伝送、利用の高度化と超効率化を目指した省エネルギー技術に関する共同利用・共同研究を基礎研究から社会実装のためのシステム化まで幅広く推進しています。
国内外の大学や研究機関の研究者は、本研究所の教員と共同研究を行うことで、様々な材料開発を行うための成膜装置、微細加工装置、電子顕微鏡をはじめとする多様な分析装置を共同利用することができます。共同利用・共同研究をご希望の方は、本研究所の教員と事前に打合せの上、お申し込み下さい。

2021年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究の公募について

名古屋大学未来材料・システム研究所は、学内唯一の理工学系附置研究所であるエコトピア科学研究所を改組し、2015年10月1日に設置されました。本研究所は、新しい材料・システムの研究に取り組み、環境調和型持続可能社会の実現に寄与することを目的としています。また、2016年度より6年間、共同利用・共同研究拠点として新たに文部科学省から認定された「革新的省エネルギーのための材料とシステム研究拠点」は、革新的省エネルギー(エネルギーの創出・変換、蓄積、伝送、消費の高度化・超効率化)を実現するために、先端的な材料・デバイス等の要素技術に関する基礎研究から社会実装のためのシステム技術までを一貫して俯瞰し、これを学内外・国内外の研究者の共同利用・共同研究によって推進します。この拠点活動の一環として、本学以外の機関に所属する教員又は研究者と本研究所の教員とが協力して行う、革新的省エネルギーに関する共同利用・共同研究を公募します。

共同利用・共同研究 本研究所の教員及び本学以外の機関に所属する教員又は研究者を含む研究チーム(研究チームは「申請資格者」を参照)が、本研究所の施設、設備、データ等を利用して共同で行う研究
共同利用・共同研究課題 革新的省エネルギー(エネルギーの創出・変換、蓄積、伝送、消費の高度化・超効率化)に関する共同利用・共同研究課題
申請資格者 【研究代表者】
次のいずれかに該当する者(本学の教員を除く。)とします。
① 国、公、私立大学の教員、研究機関の研究者、又はこれらに準ずる研究者
② その他研究所長が特に適当と認めた者

【研究分担者】
次のいずれかに該当する者とします。
① 国、公、私立大学の教員、研究機関の研究者、又はこれらに準ずる研究者
② 技術職員、大学院生
③ その他研究所長が特に適当と認めた者
研究期間 採択日から 2022 年2月28日(月)までとします。
同一の研究課題での継続申請は、初回の申請を含めて3回以内までです。
申請方法及び提出先 その他 下記「公募要項(PDF)」 を参照願います
申請期限 2021年1月13日(水) 期限厳守

主な設備一覧

成膜装置

写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
8元マグネトロンスパッタ
装置
2インチカソード8本
試料サイズ30mm角
RF電源 500W 2台
基板加熱:600℃
1 kV Arイオンエッチング機構
試料交換室に8サンプルバンク可
微細加工
プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.
nagoya-u.ac.jp
8元MBE装置 蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
試料サイズ30mm角
高圧電源3台
基板加熱:1000℃
1kV Arイオンエッチング機構
25 kV RHEED表面観察機能
微細加工
プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.
nagoya-u.ac.jp
3元マグネトロンスパッタ
装置
島津製作所 HSR-522
4インチカソード3本,
RF電源500 W 2台
逆スパッタ機構,基盤回転,
シャッター開閉機構による
多層膜成長可能
微細加工
プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.
nagoya-u.ac.jp

微細加工・プロセス装置

写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
電子線露光装置
日本電子社製
JBX6300FS
加速電圧:25/50/100kV
最小ビーム径:2nm
ビーム電流:100pA-2nA
重ね合わせ精度:±9nm
最大試料サイズ:8inchφ
微細加工
プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.
nagoya-u.ac.jp
マスクアライナ
キャノン社製
PLA-501(S)
厚さ0.7μm以下の不定形試料に対応 微細加工
プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.
nagoya-u.ac.jp
ECR-SIMS エッチング装置 ECRイオンガン:入江工研社製
RGB-114 マイクロ波入力150 W,
加速電圧600 V,イオン照射径30mm
SIMS検出器:PFEIFFER社製 EDP400
分析質量1-512 amu
試料角度調整,回転機構付き
微細加工
プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.
nagoya-u.ac.jp
フェムト秒レーザー加工分析システム
輝創 UFL-Hybrid
光源:1041nm, 550fs, 10µJ
(IMRA µjewel D-1000)
高調波発生ユニット:
40% @520nm, 5% @347nm
(加工ステーション)
最大試料寸法:100mm x 100mm
加工スポット:3.5 µmφ
(分析ステーション)
時間分解蛍光・磁気分析
(光干渉断層撮影ステーション)
撮影エリア:10mm x 10mm x 1.6mm
深さ分解能:7µ
微細加工
プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.
nagoya-u.ac.jp
フェムト秒レーザー加工分析システム
輝創 UFL-Hybrid
光源:1041nm, 550fs, 10µJ
(IMRA µjewel D-1000)
高調波発生ユニット:
40% @520nm, 5% @347nm
(加工ステーション)
最大試料寸法:100mm x 100mm
加工スポット:3.5 µmφ
(分析ステーション)
時間分解蛍光・磁気分析
(光干渉断層撮影ステーション)
撮影エリア:10mm x 10mm x 1.6mm
深さ分解能:7µ
微細加工
プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.
nagoya-u.ac.jp
電気炉
光洋リンドバーグ社製
MODEL272-2
温度範囲:400-1100℃ 微細加工
プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.
nagoya-u.ac.jp
急速加熱処理装置
AG Associates社製
Heatpulse 610
温度範囲:400~1200℃
昇温速度:200℃/sec
微細加工
プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.
nagoya-u.ac.jp

電子顕微鏡及び関連装置

写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
反応科学超高圧
走査透過電子顕微鏡
JEM 1000K RS
TEM点分解能:0.15nm以下
STEM機能プローブ径:1nm
加速電圧:
1000kV, 800kV, 600kV, 400kV
0.1気圧までの各種ガス環境下での
その場観察
EELSによる元素分析機能 3D観察
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp
高分解能電子状態計測
走査透過型電子顕微鏡
JEM-ARM200(Cold)
(収差補正電子顕微鏡)
TEM点分解能:0.19nm
STEM機能プローブ径:有<60pm
照射レンズ系に収差補正機能を搭載
加速電圧: 200,80kV0
冷電界放出電子銃
TEM, STEM, EDS, EELS
電子線ホログラフィー
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp
電界放出走査透過電子顕微鏡
EM-10000BU
(収差補正電子顕微鏡)
TEM点分解能:0.11nm
STEM機能プローブ径:有<70pm
照射レンズ系、結像レンズ系の
それぞれに収差補正機能を搭載 
加速電圧: 200,80kV
電界放出電子銃
TEM, STEM, EDS, EELS
電子線ホログラフィー
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp
高分解能透過型電子顕微鏡
システム
JEM-2100F-HK
TEM点分解能:0.2nm
STEM機能
加速電圧: 200kV
電界放出電子銃
TEM, STEM, EDS
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp
透過電子顕微鏡システム
JEM-2100plus
TEM点分解能:0.25nm
STEM機能有
プローブ径:3.0nm
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp
電子分光走査透過電子顕微鏡
JEM2100M
TEM点分解能:0.23nm
STEM機能有
プローブ径:1.0nm
加速電圧:200kV
EELS, 波長分散X線分光器
カソードルミネッセンス(CL)
100K-1000Kの温度範囲で計測可
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp
高速加工観察分析装置
MI-4000L
(FIB-SEM)
加速電圧:30kV (FIB, SEM)
マイクロサンプリング機能
FE-SEM、EDS およびEDSD機能
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp
集束イオンビーム加工機
FB-2100(FIB)
加速電圧: 40kV
マイクロサンプリング
CAD機能
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp
アルゴンイオン研磨装置
PIPSⅡ
イオン銃:低エネルギー集束電極
ペニングイオン銃 2式
イオンエネルギー:100eV~8keV
試料サイズ:3mm
試料回転:1~6rpmまで可変
XY切り替え範囲:±0.5mm
試料観察:双眼顕微鏡、
デジタルズームマイクロスコープ
冷却ステージ:液体窒素
(保持時間6~7時間)
試料冷却:-120℃まで冷却可能
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp
その他 試料作製装置群 切断、機械研磨、化学研磨、
FIB用サンプル加工等、無機材料系
試料作製のための各種装置群
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp
電界放射型分析走査電子
顕微鏡
日本電子 JSM-6330F
線源:冷陰極電界放射型電子銃
加速電圧:0.5~30kV
倍率:10~500,000
共通機器管理室
shared.equip*@*imass.
nagoya-u.ac.jp
エネルギー分散型X線分析
装置付走査型電子顕微鏡
日立ハイテクノロジーズ S3000N
SEMEDXⅢTypeN1
SEI像分解能:3.0nm@ 25kV
COMPO像分解能:4.0nm
加速電圧:0.3~30kV
共通機器管理室
shared.equip*@*imass.
nagoya-u.ac.jp
透過電子顕微鏡システム
日本電子 JEM-2010F
加速電圧200kV
点分解能0.19nm
STEM機能
共通機器管理室
shared.equip*@*imass.
nagoya-u.ac.jp
走査型電子顕微鏡
日本電子社製
JSM-6301F
線源:冷陰極電界放射型電子銃
加速電圧:0.5~30kV
倍率:10~500,000
エネルギー分散型分光器による
組成分析可能
超高圧電子顕微鏡施設
hvem*@*nagoya-microscopy.jp

分析・計測装置

写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
薄膜X線回折装置
RIGAKU社製 ATX-G
Cu Kα線 18kW 多層膜ミラー,
Geモノクロメーター付き
測定モード:θ-2θスキャン,ロッキングカーブ,逆格子面マッピング,
膜面内φスキャン,φ-2θχスキャンなど
微細加工プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
X線回折装置 試料水平型、
加熱ステージ
RIGAKU RINT2500TTR
Cu Kα線 18kW, 試料水平型
測定モード:
θ -2θ,θs/θd連動スキャン,
θs,θd単独スキャンなど
原子間力顕微鏡
Bruker社製 AXS
Dimension3100
スキャン領域:XY方向 約90μm,
Z方向 約6μm
試料サイズ:最大150 mmφ-12mmt
測定モード:AFM,MFM,EFM,LFM,表面電位顕微鏡,電流像,
リソグラフィー
微細加工プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
磁気特性評価システム群 (1)交番磁界勾配型磁力計:感度 10^-8emu,20kOe
(2)振動試料型磁力計:感度 10^-5emu,15kOe
(3)トルク磁力計:2×10^-3erg,15kOe
(4)磁気光学スペクトロメータ:2×10^-3deg,16kOe
微細加工プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
X線光電子分光装置
VG社製 ESCALAB250
Mg/Alツインアノード
AlモノクロX線源
Arスパッタ銃
角度分解測定用マニュピレータ
最大試料サイズ:20mmφ
微細加工プラットフォーム事務局
info*@*nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
X線光電子分光装置
島津製作所 ESCA-3300型
φ100μmの微小部分分析可能
X線銃:Mg/Alツインアノード
出力最大450W(15kV-30mA)
エッチングイオン銃
共通機器管理室
shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp
イメージングXPSマイクロ
プローブ
サーモフィッシャー ESCALAB 250Xi
UPS, XPS両光電子分光計測が可能
XPS計測時:Mg, Al ツインアノード
利用可
最高エネルギー分解能:
0.5eV程度@Alkα
最高空間分解能:20μm
共通機器管理室
shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp
誘導結合プラズマ発光分光
分析装置
セイコーインスツルメンツ
SPS7800
シーケンシャル型
波長範囲 175~800nm
最大出力 1.2kW
オートサンプラーなし
共通機器管理室
shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp
CHNコーダー
ヤナコ分析工業
自己積分法式
(デュアルピストンポンプ使用)
絶対誤差 ±0.3%以内
オートサンプラーあり
共通機器管理室
shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp
1成分レーザドップラー
流速計測装置
TSI 1D-PDPA/FSA3500P
共通機器管理室
shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp

未来エレクトロニクス集積研究センター装置

写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
イオン注入装置
ULVAC IMX-3500
試料サイズ:
不定形~8インチウエハー
エネルギ:30~200keV
最大ビーム電流:
11B+ 400μA(200keV)
31P+ 600μA(200keV)
最小ビーム電流:150nA
イオン種:
B、P、As、Si、Ge、Sb、In 他
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
高温スパッタ成膜装置
ULVAC QAM4
試料サイズ:
不定形~2インチウエハー
膜方式:デポアップ
スパッタ膜:AlN、BN
使用ガス:Ar, N2
本田善央准教授
集束イオンビーム装置
HITACHI NX2000
FIBカラム:
分解能 4nm @ 30kV、60nm @ 2kV
速電圧 0.5 ~ 30kV
ビーム電流 0.05pA ~ 100nA
FE-SEMカラム:
分解能 2.8nm @ 5kV、3.5nm @ 1kV
加速電圧 0.5 ~ 30kV
電子銃 冷陰極電界放出型
検出器:
標準検出器 In-lens SE検出器/
チャンバーSE検出器/反射電子検出器
ステージ:
X:0 ~ 205mm
Y:0 ~ 205mm
Z:0 ~ 10mm
R:0 ~ 360°エンドレス
T:-5 ~ 60°
本田善央准教授
走査型電子顕微鏡
(in-lensタイプ)
HITACHI SU9000
二次電子分解能
1.0nm(加速電圧15kV)
1.6nm(加速電圧1kV)(オプション)
倍率 ×25~×800,000
プローブ電流 1pA~100nA
最大搭載可能試料サイズ
150mm径(標準)
搭載可能付属装置 EDX、EBSD
本田善央准教授
大面積
カソードルミネッセンス
HORIBA WD201N
SEM:熱陰極型SEM
高速撮影CL:1mm角に対して
1min以内
本田善央准教授
仕事関数測定装置
RIKEN KENKI AC-3
光子エネルギー範囲:4.0~7.0eV 本田善央准教授
エミッション顕微鏡 HAMAMATSU
PHOTONICS PHEMOS-1000
EMISSION mode: Si CCDカメラ
OBIRCH mode: 405nmレーザ
本田善央准教授
i線ステッパ
Nikon NSR-2205i12D
試料サイズ:15mm2、
2インチウエハーの1/4形状(扇形)、
2インチウエハー
露光光源:i線(波長365 nm)
解像度:350 nm
N.A.:0.5~0.63
縮小倍率:5分の1倍
露光範囲:22 mm2(ウエハー上)
レチクル:6インチ石英ガラス
総合アライメント精度:55 nm以下
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
ナノインプリント
サイヴァクス X500
試料サイズ:
不定形~8インチウエハー
被転写材料:UV硬化樹脂、
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂
転写方式:一括転写
UV機能:波長365nm/385nm、
照射面積200mmΦ
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
レーザー顕微鏡
オリンパス OLS-4100
光源:405nm半導体レーザー
倍率:最大17280倍
高さ測定範囲:10mm
表示分解能:0.001μm
光学ズーム:1x~8x
測定:レーザー光波長405nm、
最大出力1mW
6穴明視野電動レボルバ
XYステージ:
100mm×100mm 電動ステージ
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
RCA洗浄装置
ダルトン 18-MR12
試料サイズ:15mm2、
2インチウエハーの1/4形状(扇形)、
2インチウエハー、4インチウエハー
薬液槽:キャロス、SC1、SC2、
塩酸、HF、BHF、TMAH
水洗層:QDR機能付き
乾燥:2インチ、4インチウエハーは
装置内蔵スピンドライヤー、
その他は窒素ガスブロー乾燥
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
有機洗浄装置
ダルトン 18-MU11
試料サイズ:15mm2、
2インチウエハーの1/4形状(扇形)、
2インチウエハー、4インチウエハー
洗浄槽:レジスト剥離液、NMP、IPA
水洗層:QDR機能付き
乾燥:2インチ、4インチウエハーは
装置内蔵スピンドライヤー、
その他は窒素ガスブロー乾燥
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
接触式表面形状システム
Bruker Dektak XT-A
試料サイズ:
不定形~6インチウエハー
(厚さ50mmまで)
垂直表示レンジ:6.5nm~1mm
垂直分解能:0.1nm
測定距離:50um~55mm
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
ICPドライエッチャ4
ULVAC CE-S
試料サイズ:不定形~6インチウエハー
被エッチング材:GaN、メタル
使用ガス:Cl2、BCl3、O2、Ar、N2、He(冷却用)
アンテナ高周波電源:
13.56MHz水晶発振、最大1000W
バイアス高周波電源:
12.5MHz水晶発振、最大100W
基板温度:-15~35℃
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
ALD(プラズマ式/サーマル式)
Ultratech/Cambridge
NanoTech Fiji G2
試料サイズ:不定形~4インチウエハー
プロセスチャンバー:
4プラズマガスライン、
6プリカーサーライン
プロセスモード:
Continuous ModeT(連続成膜モード)
Exposure Mode(暴露時間制御モード)
Plasma Mode(プラズマ成膜モード)
電源:300W RF 電源及び、チューナー付きICP リモートパルスプラズマラジカルジェネレータ
プリカーサーライン:
6ライン(H2O ラインを含む)
プリカーサーヒーター:
ヒーター温度200℃まで制御可能
使用ガス:N2、O2、Ar
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
LP-CVD
samco LPD-1200
試料サイズ:2インチウエハー
デポ膜:Poly-Si
形式:横型開閉式環状炉
温度制御:3ゾーンPID制御、Max1000℃、均熱長200mm
使用ガス:
SiH4、Si2H6、4%PH3-Ar、BCl3、N2
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
ICPドライエッチャ1
samco RIE-200iP
試料サイズ:不定形~8インチウエハー
(8インチトレー搬送式装置:
小径ウエハーは複数枚同時処理可能)
被エッチング材:SiO2、SiN
使用ガス:
CF4、CHF3、O2、Ar、He(冷却用)
IPC高周波電源:
13.56MHz水晶発振、最大1000W
Bias高周波電源:
13.56MHz水晶発振、最大300W
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
ICPドライエッチャ2
samco RIE-200iP
試料サイズ:不定形~8インチウエハー
(8インチトレー搬送式装置:
小径ウエハーは複数枚同時処理可能)
被エッチング材:GaN、Poly-Si
使用ガス:Cl2、BCl3、O2、Ar、N2
IPC高周波電源:
13.56MHz水晶発振、最大1000W
Bias高周波電源:
13.56MHz水晶発振、最大300W
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
P-CVD1
samco PD-220NL
試料サイズ:不定形~8インチウエハー
(8インチトレー搬送式装置:
小径ウエハーは複数枚同時処理可能)
成膜種:SiO2、SiN、TEOS-SiO2
使用ガス:
TEOS、O2、N2O、C2F6、SiH4、NH3、H2
高周波電源:
13.56MHz水晶発振、最大300W
下部電極加熱:最大450℃
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
ICPドライエッチャ3
ULVAC NE-550EX
試料サイズ:不定形~8インチウエハー
(200mmΦトレー搬送式装置:
小径ウエハーは複数枚同時処理可能)
被エッチング材:GaN
使用ガス:Cl2, BCl3, O2, Ar,
He(冷却用), SiCl4, SF6
アンテナ高周波電源:
13.56MHz水晶発振、最大1000W
バイアス高周波電源:
12.5MHz水晶発振、最大100W
基板温度:20~170℃
防着版:
加熱方式防着版(常温~200℃)
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
EB蒸着装置
ULVAC ei-5
試料サイズ:不定形~4インチウエハー
基板保持:基板落し込み方式
(2インチウエハーはアダプターを使用)
EB電源:出力10kW、シングル
蒸着金属:Al、Ti、Ni,Au、Pt等
ハース容量:40ml×6
二次電子吸収機構:有
蒸着源から試料までの距離:680mm
基板加熱:
赤外線ランプ加熱(最高温度350℃)
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
スパッタ装置
ULVAC CS-L
試料サイズ:不定形~8インチウエハー
膜方式:デポアップ
スパッタ金属:Ti、Al、Ni
使用ガス:Ar, N2
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
光干渉膜厚計
(自動マッピング式)
FILMETRICS F50
試料サイズ:不定形~12インチウエハー
光源:ハロゲン
スポットサイズ:1.5mm
測定波長範囲:380~1050nm
膜厚測定範囲:20nm~70um
C-TEFs管理室
c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
ダイボンダ
West bond 7200CR
ディスペンス方法
エアーによるディスペンス
ピックアップ方法
バキュームによるピックアップ
本田善央准教授
スクライバー
TECDIA TEC-2004TMR
半自動スクライバー
4inchまで対応
本田善央准教授
卓上研磨機
Nanofactor Fact-200
ラップ定盤 直径Φ 200~230mm
ラップ定盤回転数 10rpm~200rpm
本田善央准教授
ワイヤボンダ
West bond 7476D
ボンディング方式
US・TC又はサーモソニック方式
荷重:18g~90g(調整可能)
対応ワイヤー:
13μmΦ~50μmΦまでの金線・アルミ線
波数:63KHz
超音波出力:
High Power 設定時:最大4W
Low Power 設定時:最大2W
High Power, 超音波印加時間:
0~999ms 1ms単位で設定可能
本田善央准教授

(注)募集研究テーマを実施するに当たっては、本研究所の設備(主な設備名は上記のとおり)を利用することができます。
なお、利用を希望する場合は、本研究所の担当教員と十分な打合せをしてください。メール送信の際は@前後の*を除いてください。

採択一覧

2021年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧

2020年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧

2019年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧

2018年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧

2017年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧

共同利用・共同研究報告書

2020年度

2019年度

2018年度

2017年度

2016年度