| 受賞日 | 2023/11/17 |
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| 賞名 | The 14th International Conference on Nitride Semiconductors Best Student Award |
| 受賞者 | 陸 順（天野研究室・D2） |
| 研究課題 | Lateral p-type GaN Schottky barrier diode using annealed Mg ohmic contact layer on low-Mg-concentration p-GaN |
| 関連HP | https://icns14.jp/index.html 天野研究室 http://www.semicond.nuee.nagoya-u.ac.jp/index.html |
