Joint Usage / Research Center
Summary and Call for Proposals
共同利用・共同研究
共同利用のイメージ Image of Shared Use
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本研究所の教員及び本学以外の機関に所属する教員又は研究者を含む研究チーム
名大の研究者
名大以外の研究者（研究代表者）
▼
本研究所の施設、設備、データ等を利用した共同研究
先端的な材料･デバイス等の要素技術に関する 基礎研究から社会実装のためのシステム技術
▼循環調和型で持続可能な省エネルギー・創エネルギー技術
（エネルギー変換、蓄エネルギー、エネルギー伝送およびエネルギー消費の高度化・超効率化）の開発を実現
概要及び公募
「環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギーのための材料とシステム研究拠点」
当研究所は、「環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギーのための材料とシステム研究拠点」として 2022年度より6年間、共同利用・共同研究拠点として新たに認定され、環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギー技術（エネルギー変換、蓄エネルギー、エネルギー伝送およびエネルギー消費の高度化・超効率化）の開発を実現するために、先端的な材料 ･ デバイス等の要素技術に関する基礎研究から社会実装のためのシステム技術の開発までを一貫して俯瞰し、これを学内外・国内外の研究者の共同利用・共同研究によって推進します。国内外の大学や研究機関の研究者は、本研究所の教員と共同研究を行うことで、様々な材料開発を行うための成膜装置、微細加工装置、電子顕微鏡をはじめとする多様な分析装置を共同利用することができます。共同利用・共同研究をご希望の方は、本研究所の教員と事前に打合せの上、ご応募ください。
2024年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究の公募について
※申請書の受付は終了しました ※報告書提出期限 2025年3月3日（月）
名古屋大学未来材料・システム研究所（以下「本研究所」という。）は、学内唯一の理工学系附置研究所であるエコトピア科学研究所を改組し、2015年10月1日に設置されました。本研究所は、新しい材料・システムの研究に取り組み、環境調和型持続可能社会の実現に寄与することを目的としています。
2016年度より6年間、共同利用・共同研究拠点として文部科学省から認定された「革新的省エネルギーのための材料とシステム研究拠点」は、革新的省エネルギー（エネルギーの創出・変換、蓄積、伝送、消費の高度化・超効率化）を実現するために、先端的な材料･デバイス等の要素技術に関する基礎研究から社会実装のためのシステム技術までを一貫して俯瞰し、これを学内外・国内外の研究者の共同利用・共同研究によって推進してきました。
また、2022年度より6年間、共同利用・共同研究拠点として新たに文部科学省から認定された「環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギーのための材料とシステム研究拠点」は、環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギー技術（エネルギー変換、蓄エネルギー、エネルギー伝送およびエネルギー消費の高度化・超効率化）の開発を実現するために、先端的な材料･デバイス等の要素技術に関する基礎研究から社会実装のためのシステム技術の開発までを一貫して俯瞰し、これを学内外・国内外の研究者の共同利用・共同研究によって推進します。この拠点活動の一環として、本学以外の機関に所属する教員又は研究者と本研究所の教員とが協力して行う、環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギー技術の開発共同利用・共同研究を公募します。
| 共同利用・共同研究 | 本研究所の教員及び本学以外の機関に所属する教員又は研究者を含む研究チーム（研究チームは「申請資格者」を参照）が、本研究所の施設、設備、データ等を利用して共同で行う研究 |
|---|---|
| 共同利用・共同研究課題 | 環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギー技術（エネルギー変換、蓄エネルギー、エネルギー伝送およびエネルギー消費の高度化・超効率化）に関する共同利用・共同研究課題 |
| 申請資格者 | 研究代表者 次のいずれかに該当する者（本学の教員を除く。）とします。 ① 国、公、私立大学の教員、研究機関の研究者、又はこれらに準ずる研究者 ② その他研究所長が特に適当と認めた者 研究分担者 次のいずれかに該当する者とします。 ① 国、公、私立大学の教員、研究機関の研究者、又はこれらに準ずる研究者 ② 技術職員、大学院生 ③ その他研究所長が特に適当と認めた者 |
| 研究期間 | 採択日から2025年2月28日(金)までとします。 同一の研究課題での継続申請は、初回の申請を含めて３回以内までです。 なお、2022年度より当研究所は新しい拠点「環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギーのための材料とシステム研究拠点」として認定更新したことに伴い、2022年度の採択課題はすべて新規課題とする取り扱いをいたしましたので、継続回数の起算は2022年度からとなります。 |
| 申請方法及び提出先 その他 | 下記「公募要項（PDF）」 を参照願います。 |
| 申請期限 | 2024年1月15日（月） 期限厳守 |
| 報告書提出期限 | 2025年3月3日（月）期限厳守 |
公募要項（PDF）2024年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究（国際共同研究）の公募について
※申請書の受付は終了しました ※報告書提出期限 2026年3月2日（月）
名古屋大学未来材料・システム研究所（以下「本研究所」という。）は、学内唯一の理工学系附置研究所であるエコトピア科学研究所を改組し、2015年10月1日に設置されました。本研究所は、新しい材料・システムの研究に取り組み、環境調和型持続可能社会の実現に寄与することを目的としています。
また、2016年度より6年間、共同利用・共同研究拠点として新たに文部科学省から認定された「革新的省エネルギーのための材料とシステム研究拠点」は、革新的省エネルギー（エネルギーの創出・変換、蓄積、伝送、消費の高度化・超効率化）を実現するために、先端的な材料･デバイス等の要素技術に関する基礎研究から社会実装のためのシステム技術までを一貫して俯瞰し、これを学内外・国内外の研究者の共同利用・共同研究によって推進してきました。
また、2022年度より6年間、共同利用・共同研究拠点として新たに文部科学省から認定された「環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギーのための材料とシステム研究拠点」は、環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギー技術（エネルギー変換、蓄エネルギー、エネルギー伝送およびエネルギー消費の高度化・超効率化）の開発を実現するために、先端的な材料･デバイス等の要素技術に関する基礎研究から社会実装のためのシステム技術の開発までを一貫して俯瞰し、これを学内外・国内外の研究者の共同利用・共同研究によって推進します。この拠点活動の一環として、海外を研究拠点とする研究者と本研究所の教員とが協力して行う、環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギー技術の開発に関する国際共同研究を公募します。
| 共同利用・共同研究 | 本研究所の教員及び本学以外の国外の研究機関に所属する教員又は研究者を含む研究チーム（研究チームは「研究組織」を参照）が、本研究所の施設、設備、データ等を利用して共同で行う研究 |
|---|---|
| 共同利用・共同研究課題 | 環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギー技術（エネルギー変換、蓄エネルギー、エネルギー伝送およびエネルギー消費の高度化・超効率化）に関する共同利用・共同研究課題 |
| 研究組織 | 本国際共同研究では、研究組織の中に、研究代表者もしくは研究分担者として海外を研究拠点とする研究者が一名以上含まれている必要があります。また、研究所担当教員として本研究所の所員が一名以上含まれている必要があります。研究課題、研究内容、経費等について事前に本研究所の担当教員と十分な打ち合わせをしてください。 研究代表者および研究分担者は、次のいずれかに該当する者とします。 ① 国、公、私立大学の教員、研究機関の研究者、又はこれに準ずる研究者 ② 国外の研究機関に所属する研究者（名誉教授、ポスドクを含む。博士の学位を有すること）。 ③ その他研究所長が特に適当と認めた者 |
| 研究期間 | 採択日から2026年2月末までの2年間とします。 ただし、継続申請の研究期間は1年間となります。 |
| 申請方法及び提出先 その他 | 下記「公募要項（PDF）」 を参照願います。 |
| 申請期限 | 2024年1月15日（月） 期限厳守 |
| 報告書提出期限 | 2026年3月2日（月）期限厳守 |
2023年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究（国際共同研究）の公募について
※申請書の受付は終了しました ※報告書提出期限 2025年3月3日（月）
名古屋大学未来材料・システム研究所（以下「本研究所」という。）は、学内唯一の理工学系附置研究所であるエコトピア科学研究所を改組し、2015年10月1日に設置されました。本研究所は、新しい材料・システムの研究に取り組み、環境調和型持続可能社会の実現に寄与することを目的としています。
また、2016年度より6年間、共同利用・共同研究拠点として新たに文部科学省から認定された「革新的省エネルギーのための材料とシステム研究拠点」は、革新的省エネルギー（エネルギーの創出・変換、蓄積、伝送、消費の高度化・超効率化）を実現するために、先端的な材料･デバイス等の要素技術に関する基礎研究から社会実装のためのシステム技術までを一貫して俯瞰し、これを学内外・国内外の研究者の共同利用・共同研究によって推進してきました。
また、2022年度より6年間、共同利用・共同研究拠点として新たに文部科学省から認定された「環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギーのための材料とシステム研究拠点」は、環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギー技術（エネルギー変換、蓄エネルギー、エネルギー伝送およびエネルギー消費の高度化・超効率化）の開発を実現するために、先端的な材料･デバイス等の要素技術に関する基礎研究から社会実装のためのシステム技術の開発までを一貫して俯瞰し、これを学内外・国内外の研究者の共同利用・共同研究によって推進します。この拠点活動の一環として、海外を研究拠点とする研究者と本研究所の教員とが協力して行う、環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギー技術の開発に関する国際共同研究を公募します。
| 共同利用・共同研究 | 本研究所の教員及び本学以外の国外の研究機関に所属する教員又は研究者を含む研究チーム（研究チームは「研究組織」を参照）が、本研究所の施設、設備、データ等を利用して共同で行う研究 |
|---|---|
| 共同利用・共同研究課題 | 環境調和型で持続発展可能な省エネルギー・創エネルギー技術（エネルギー変換、蓄エネルギー、エネルギー伝送およびエネルギー消費の高度化・超効率化）に関する共同利用・共同研究課題 |
| 研究組織 | 本国際共同研究では、研究組織の中に、研究代表者もしくは研究分担者として海外を研究拠点とする研究者が一名以上含まれている必要があります。また、研究所担当教員として本研究所の所員が一名以上含まれている必要があります。研究課題、研究内容、経費等について事前に本研究所の担当教員と十分な打ち合わせをしてください。 研究代表者および研究分担者は、次のいずれかに該当する者とします。 ① 国、公、私立大学の教員、研究機関の研究者、又はこれに準ずる研究者 ② 国外の研究機関に所属する研究者（名誉教授、ポスドクを含む。博士の学位を有すること）。 ③ その他研究所長が特に適当と認めた者 |
| 研究期間 | 採択日から2025年2月28日(金)までの2年間とします。 ただし、2年目終了時に継続を希望する課題については、審査で継続が認められた場合、もう１年間継続することができます。継続が認められた課題には50万円を上限として予算の追加申請が可能です。 |
| 申請方法及び提出先 その他 | 下記「公募要項（PDF）」 を参照願います。 |
| 申請期限 | 2023年1月13日（金） 期限厳守 ※終了しました。 |
| 報告書提出期限 | 2025年3月3日（月）期限厳守 |
主な設備一覧
成膜装置
| 写真 | 設備（設備群）名 | 仕様 | 連絡先 |
|---|---|---|---|
|
8元マグネトロンスパッタ 装置 |
2インチカソード8本 試料サイズ30mm角 RF電源 500W 2台 基板加熱：600℃ 1 kV Arイオンエッチング機構 試料交換室に8サンプルバンク可 |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp |
|
8元MBE装置 | 蒸着源：4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個 試料サイズ30mm角 高圧電源3台 基板加熱：1000℃ 1kV Arイオンエッチング機構 25 kV RHEED表面観察機能 |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp |
|
3元マグネトロンスパッタ 装置 島津製作所 HSR-522 |
4インチカソード3本， RF電源500 W 2台 逆スパッタ機構，基盤回転， シャッター開閉機構による 多層膜成長可能 |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp |
微細加工・プロセス装置
| 写真 | 設備（設備群）名 | 仕様 | 連絡先 |
|---|---|---|---|
|
電子線露光装置 日本電子社製 JBX6300FS |
加速電圧：25/50/100kV 最小ビーム径：2nm ビーム電流：100pA-2nA 重ね合わせ精度：±9nm 最大試料サイズ：8inchφ |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp |
|
マスクレス露光装置 ネオアーク社製 PALET DDB-701-DL4 |
露光領域: 100 mm x 100 mm 最大ワークサイズ: φ150nm×10mmt 光源: 365 nm (typ.) LED 最小画素: 3 um(対物レンズ×10), 15um(対物レンズ×2) |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp |
|
ECR-SIMS エッチング装置 | ECRイオンガン：入江工研社製 RGB-114 マイクロ波入力150 W， 加速電圧600 V，イオン照射径30mm SIMS検出器：PFEIFFER社製 EDP400 分析質量1-512 amu 試料角度調整，回転機構付き |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp |
|
イオン注入装置 日新電機 NH-20SR-WMH |
加速電圧：5-200kV 注入電流：1μA〜100μA |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp |
|
フェムト秒レーザー加工分析システム 輝創 UFL-Hybrid |
光源：1041nm, 550fs, 10µJ (IMRA µjewel D-1000) 高調波発生ユニット： 40% @520nm, 5% @347nm (加工ステーション) 最大試料寸法：100mm x 100mm 加工スポット：3.5 µmφ (分析ステーション) 時間分解蛍光・磁気分析 (光干渉断層撮影ステーション) 撮影エリア：10mm x 10mm x 1.6mm 深さ分解能：7µ |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp |
|
電気炉 光洋リンドバーグ社製 MODEL272-2 |
温度範囲：400-1100℃ | ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp |
|
急速加熱処理装置 AG Associates社製 Heatpulse 610 |
温度範囲：400～1200℃ 昇温速度：200℃/sec |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg. nagoya-u.ac.jp |
電子顕微鏡及び関連装置
| 写真 | 設備（設備群）名 | 仕様 | 連絡先 |
|---|---|---|---|
|
反応科学超高圧 走査透過電子顕微鏡 JEM 1000K RS |
TEM点分解能：0.15nm以下 STEM機能プローブ径：1nm 加速電圧： 1000kV, 800kV, 600kV, 400kV 0.1気圧までの各種ガス環境下での その場観察 EELSによる元素分析機能 3D観察 |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
|
高分解能電子状態計測 走査透過型電子顕微鏡 JEM-ARM200(Cold) (収差補正電子顕微鏡) |
TEM点分解能：0.19nm STEM機能プローブ径：有＜60pm 照射レンズ系に収差補正機能を搭載 加速電圧： 200,80kV0 冷電界放出電子銃 TEM, STEM, EDS, EELS 電子線ホログラフィー |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
|
電界放出走査透過電子顕微鏡 EM-10000BU (収差補正電子顕微鏡) |
TEM点分解能：0.11nm STEM機能プローブ径：有＜70pm 照射レンズ系、結像レンズ系の それぞれに収差補正機能を搭載 加速電圧： 200,80kV 電界放出電子銃 TEM, STEM, EDS, EELS 電子線ホログラフィー |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
|
高分解能透過型電子顕微鏡 システム JEM-2100F-HK |
TEM点分解能：0.2nm STEM機能 加速電圧： 200kV 電界放出電子銃 TEM, STEM, EDS |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
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透過電子顕微鏡システム JEM-2100plus |
TEM点分解能：0.25nm STEM機能有 プローブ径：3.0nm |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
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電子分光走査透過電子顕微鏡 JEM2100M |
TEM点分解能：0.23nm STEM機能有 プローブ径：1.0nm 加速電圧：200kV EELS, 波長分散X線分光器 カソードルミネッセンス(CL) 100K-1000Kの温度範囲で計測可 |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
|
高速加工観察分析装置 MI-4000L (FIB-SEM) |
加速電圧：30kV (FIB, SEM) マイクロサンプリング機能 FE-SEM、EDS およびEDSD機能 |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
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集束イオンビーム加工機 FB-2100(FIB) |
加速電圧： 40kV マイクロサンプリング CAD機能 |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
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アルゴンイオン研磨装置 PIPSⅡ |
イオン銃：低エネルギー集束電極 ペニングイオン銃 2式 イオンエネルギー：100eV～8keV 試料サイズ：3mm 試料回転：1～6rpmまで可変 XY切り替え範囲：±0.5mm 試料観察：双眼顕微鏡、 デジタルズームマイクロスコープ 冷却ステージ：液体窒素 (保持時間6～7時間) 試料冷却：-120℃まで冷却可能 |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
|
その他 試料作製装置群 | 切断、機械研磨、化学研磨、 FIB用サンプル加工等、無機材料系 試料作製のための各種装置群 |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
|
電界放射型分析走査電子 顕微鏡 日本電子 JSM-6330F |
線源：冷陰極電界放射型電子銃 加速電圧：0.5～30kV 倍率：10～500,000 |
共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp |
|
エネルギー分散型X線分析 装置付走査型電子顕微鏡 日立ハイテクノロジーズ S3000N |
SEMEDXⅢTypeN1 SEI像分解能：3.0nm@ 25kV COMPO像分解能：4.0nm 加速電圧：0.3～30kV |
共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp |
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透過電子顕微鏡システム 日本電子 JEM-2010F |
加速電圧200kV 点分解能0.19nm STEM機能 |
共通機器管理室 shared.equip*@*imass. nagoya-u.ac.jp |
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走査型電子顕微鏡 日本電子社製 JSM-6301F |
線源：冷陰極電界放射型電子銃 加速電圧：0.5～30kV 倍率：10～500,000 エネルギー分散型分光器による 組成分析可能 |
超高圧電子顕微鏡施設 hvem*@*nagoya-microscopy.jp |
分析・計測装置
| 写真 | 設備（設備群）名 | 仕様 | 連絡先 |
|---|---|---|---|
|
薄膜X線回折装置 RIGAKU社製 ATX-G |
Cu Kα線 18kW 多層膜ミラー， Geモノクロメーター付き 測定モード：θ－2θスキャン，ロッキングカーブ，逆格子面マッピング， 膜面内φスキャン，φ－2θχスキャンなど |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp |
|
X線回折装置 試料水平型、 加熱ステージ RIGAKU RINT2500TTR |
Cu Kα線 18kW， 試料水平型 測定モード： θ －2θ，θs/θd連動スキャン， θs，θd単独スキャンなど |
共通機器管理室 shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
|
原子間力顕微鏡 Bruker社製 AXS Dimension3100 |
スキャン領域：XY方向 約90μm， Z方向 約6μm 試料サイズ：最大150 mmφ－12mmt 測定モード：AFM，MFM，EFM，LFM，表面電位顕微鏡，電流像， リソグラフィー |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp |
|
磁気特性評価システム群 | (1)交番磁界勾配型磁力計：感度 10^-8emu，20kOe (2)振動試料型磁力計：感度 10^-5emu，15kOe (3)トルク磁力計：2×10^-3erg，15kOe (4)磁気光学スペクトロメータ：2×10^-3deg，16kOe |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp |
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X線光電子分光装置 VG社製 ESCALAB250 |
Mg/Alツインアノード AlモノクロX線源 Arスパッタ銃 角度分解測定用マニュピレータ 最大試料サイズ：20mmφ |
ARIM微細加工事務局 info*@*nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp |
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X線光電子分光装置 島津製作所 ESCA-3300型 |
φ100μｍの微小部分分析可能 Ｘ線銃：Mg／Alツインアノード 出力最大450Ｗ（15ｋＶ－30ｍＡ） エッチングイオン銃 |
共通機器管理室 shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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イメージングXPSマイクロ プローブ サーモフィッシャー ESCALAB 250Xi |
UPS, XPS両光電子分光計測が可能 XPS計測時：Mg, Al ツインアノード 利用可 最高エネルギー分解能： 0.5eV程度＠Alkα 最高空間分解能：20μm |
共通機器管理室 shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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誘導結合プラズマ発光分光 分析装置 セイコーインスツルメンツ SPS7800 |
シーケンシャル型 波長範囲 175～800nm 最大出力 1.2kW オートサンプラーなし |
共通機器管理室 shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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CHNコーダー ヤナコ分析工業 |
自己積分法式 (デュアルピストンポンプ使用) 絶対誤差 ±0.3％以内 オートサンプラーあり |
共通機器管理室 shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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ガスクロマトグラフ質量分析計 島津製作所 GCMS-QP2010Ultra |
質量測定範囲1.5~1090Da SCAN/SIM同時分析可能(FASST) EIイオン源（S/N 500 : 1pg octafluoronaphthalene） オートサンプラーあり |
共通機器管理室 shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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高速液体クロマトグラフィー 島津製作所 LC-20AD |
ミクロ流量で優れた性能が得られる並列ダブルプランジャ型２台、グラジエント可能 流量範囲：0.0001～10.0000mL/min 検出器：ホトダイオードアレー（PDA） セミミクロセル オートサンプラーあり |
共通機器管理室 shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
未来エレクトロニクス集積研究センター装置
| 写真 | 設備（設備群）名 | 仕様 | 連絡先 |
|---|---|---|---|
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イオン注入装置 ULVAC IMX-3500 |
試料サイズ： 不定形～8インチウエハー エネルギ：30～200keV 最大ビーム電流： 11B+ 400μA（200keV) 31P+ 600μA（200keV) 最小ビーム電流：150nA イオン種： B、P、As、Si、Ge、Sb、In 他 |
C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
|
高温スパッタ成膜装置 ULVAC QAM4 |
試料サイズ： 不定形～2インチウエハー 膜方式：デポアップ スパッタ膜：AlN、BN 使用ガス：Ar, N2 |
本田善央教授 |
|
集束イオンビーム装置 HITACHI NX2000 |
FIBカラム： 分解能 4nm @ 30kV、60nm @ 2kV 速電圧 0.5 ～ 30kV ビーム電流 0.05pA ～ 100nA FE-SEMカラム： 分解能 2.8nm @ 5kV、3.5nm @ 1kV 加速電圧 0.5 ～ 30kV 電子銃 冷陰極電界放出型 検出器： 標準検出器 In-lens SE検出器/ チャンバーSE検出器/反射電子検出器 ステージ： X：0 ～ 205mm Y：0 ～ 205mm Z：0 ～ 10mm R：0 ～ 360°エンドレス T：-5 ～ 60° |
本田善央教授 |
|
走査型電子顕微鏡 （in-lensタイプ） HITACHI SU9000 |
二次電子分解能 1.0nm（加速電圧15kV） 1.6nm（加速電圧1kV）(オプション) 倍率 ×25～×800,000 プローブ電流 1pA～100nA 最大搭載可能試料サイズ 150mm径（標準） 搭載可能付属装置 EDX、EBSD |
本田善央教授 |
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大面積 カソードルミネッセンス HORIBA WD201N |
SEM：熱陰極型SEM 高速撮影CL：１mm角に対して 1min以内 |
本田善央教授 |
|
仕事関数測定装置 RIKEN KENKI AC-3 |
光子エネルギー範囲：4.0～7.0eV | 本田善央教授 |
|
エミッション顕微鏡 HAMAMATSU PHOTONICS PHEMOS-1000 |
EMISSION mode： Si CCDカメラ OBIRCH mode： 405nmレーザ |
本田善央教授 |
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i線ステッパ Nikon NSR-2205i12D |
試料サイズ：15mm2、 2インチウエハーの1/4形状（扇形）、 2インチウエハー 露光光源：i線(波長365 nm) 解像度：350 nm N.A.：0.5～0.63 縮小倍率：5分の1倍 露光範囲：22 mm2(ウエハー上) レチクル：6インチ石英ガラス 総合アライメント精度：55 nm以下 |
C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
|
ナノインプリント サイヴァクス X500 |
試料サイズ： 不定形～8インチウエハー 被転写材料：UV硬化樹脂、 熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂 転写方式：一括転写 UV機能：波長365nm/385nm、 照射面積200mmΦ |
C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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レーザー顕微鏡 オリンパス OLS-4100 |
光源：405nm半導体レーザー 倍率：最大17280倍 高さ測定範囲：10mm 表示分解能：0.001μm 光学ズーム：1x～8x 測定：レーザー光波長405nm、 最大出力1mW 6穴明視野電動レボルバ XYステージ： 100mm×100mm 電動ステージ |
C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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RCA洗浄装置 ダルトン 18-MR12 |
試料サイズ：15mm2、 2インチウエハーの1/4形状（扇形）、 2インチウエハー、4インチウエハー 薬液槽：キャロス、SC1、SC2、 塩酸、HF、BHF、TMAH 水洗層：QDR機能付き 乾燥：2インチ、4インチウエハーは 装置内蔵スピンドライヤー、 その他は窒素ガスブロー乾燥 |
C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
|
有機洗浄装置 ダルトン 18-MU11 |
試料サイズ：15mm2、 2インチウエハーの1/4形状（扇形）、 2インチウエハー、4インチウエハー 洗浄槽：レジスト剥離液、NMP、IPA 水洗層：QDR機能付き 乾燥：2インチ、4インチウエハーは 装置内蔵スピンドライヤー、 その他は窒素ガスブロー乾燥 |
C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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接触式表面形状システム Bruker Dektak XT-A |
試料サイズ： 不定形～6インチウエハー (厚さ50mmまで) 垂直表示レンジ：6.5nm～1mm 垂直分解能：0.1nm 測定距離：50um～55mm |
C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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ICPドライエッチャ4 ULVAC CE-S |
試料サイズ：不定形～6インチウエハー 被エッチング材：GaN、メタル 使用ガス：Cl2、BCl3、O2、Ar、N2、He（冷却用） アンテナ高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大1000W バイアス高周波電源： 12.5MHz水晶発振、最大100W 基板温度：-15～35℃ |
C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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ALD(プラズマ式/サーマル式) Ultratech/Cambridge NanoTech Fiji G2 |
試料サイズ：不定形～4インチウエハー プロセスチャンバー： 4プラズマガスライン、 6プリカーサーライン プロセスモード： Continuous ModeT(連続成膜モード) Exposure Mode(暴露時間制御モード) Plasma Mode(プラズマ成膜モード) 電源：300W RF 電源及び、チューナー付きICP リモートパルスプラズマラジカルジェネレータ プリカーサーライン： 6ライン（H2O ラインを含む） プリカーサーヒーター： ヒーター温度200℃まで制御可能 使用ガス：N2、O2、Ar |
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LP-CVD samco LPD-1200 |
試料サイズ：2インチウエハー デポ膜：Poly-Si 形式：横型開閉式環状炉 温度制御：３ゾーンPID制御、Max1000℃、均熱長200mm 使用ガス： SiH4、Si2H6、4%PH3-Ar、BCl3、N2 |
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ICPドライエッチャ1 samco RIE-200iP |
試料サイズ：不定形～8インチウエハー (8インチトレー搬送式装置： 小径ウエハーは複数枚同時処理可能) 被エッチング材：SiO2、SiN 使用ガス： CF4、CHF3、O2、Ar、He(冷却用) IPC高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大1000W Bias高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大300W |
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ICPドライエッチャ2 samco RIE-200iP |
試料サイズ：不定形～8インチウエハー (8インチトレー搬送式装置： 小径ウエハーは複数枚同時処理可能) 被エッチング材：GaN、Poly-Si 使用ガス：Cl2、BCl3、O2、Ar、N2 IPC高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大1000W Bias高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大300W |
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P-CVD1 samco PD-220NL |
試料サイズ：不定形～8インチウエハー (8インチトレー搬送式装置： 小径ウエハーは複数枚同時処理可能) 成膜種：SiO2、SiN、TEOS-SiO2 使用ガス： TEOS、O2、N2O、C2F6、SiH4、NH3、H2 高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大300W 下部電極加熱：最大450℃ |
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ICPドライエッチャ3 ULVAC NE-550EX |
試料サイズ：不定形～8インチウエハー (200mmΦトレー搬送式装置： 小径ウエハーは複数枚同時処理可能) 被エッチング材：GaN 使用ガス：Cl2, BCl3, O2, Ar, He（冷却用）, SiCl4, SF6 アンテナ高周波電源： 13.56MHz水晶発振、最大1000W バイアス高周波電源： 12.5MHz水晶発振、最大100W 基板温度：20～170℃ 防着版： 加熱方式防着版（常温～200℃） |
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EB蒸着装置 ULVAC ei-5 |
試料サイズ：不定形～4インチウエハー 基板保持：基板落し込み方式 (2インチウエハーはアダプターを使用) EB電源：出力10kW、シングル 蒸着金属：Al、Ti、Ni,Au、Pt等 ハース容量：40ml×６ 二次電子吸収機構：有 蒸着源から試料までの距離：680mm 基板加熱： 赤外線ランプ加熱(最高温度350℃) |
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スパッタ装置 ULVAC CS-L |
試料サイズ：不定形～8インチウエハー 膜方式：デポアップ スパッタ金属：Ti、Al、Ni 使用ガス：Ar, N2 |
C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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光干渉膜厚計 (自動マッピング式) FILMETRICS F50 |
試料サイズ：不定形～12インチウエハー 光源：ハロゲン スポットサイズ：1.5mm 測定波長範囲：380～1050nm 膜厚測定範囲：20nm～70um |
C-TEFs管理室 c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp |
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ダイボンダ West bond 7200CR |
ディスペンス方法 エアーによるディスペンス ピックアップ方法 バキュームによるピックアップ |
本田善央教授 |
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スクライバー TECDIA TEC-2004TMR |
半自動スクライバー 4inchまで対応 |
本田善央教授 |
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卓上研磨機 Nanofactor Fact-200 |
ラップ定盤 直径Φ 200～230mm ラップ定盤回転数 10rpm～200rpm |
本田善央教授 |
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ワイヤボンダ West bond 7476D |
ボンディング方式 US・TC又はサーモソニック方式 荷重：18ｇ～90ｇ（調整可能） 対応ワイヤー： 13μmΦ～50μmΦまでの金線・アルミ線 波数：63KHz 超音波出力： High Power 設定時：最大4W Low Power 設定時：最大2W High Power, 超音波印加時間： 0～999ms 1ms単位で設定可能 |
本田善央教授 |
（注）募集研究テーマを実施するに当たっては、本研究所の設備（主な設備名は上記のとおり）を利用することができます。
なお、利用を希望する場合は、本研究所の担当教員と十分な打合せをしてください。メール送信の際は@前後の*を除いてください。
採択一覧
- 2023年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧
- 2023年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究（国際共同研究）採択一覧
- 2022年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧
- 2022年度名古屋大学未来材料・システム共同利用・共同研究(国際共同研究）採択一覧
- 2021年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧
- 2020年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧
- 2019年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧
- 2018年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧
- 2017年度 名古屋大学未来材料・システム研究所共同利用・共同研究採択一覧
