産学協同研究部門

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産学協同研究部門

産総研・名大 窒化物半導体先進デバイス
オープンイノベーションラボラトリ
窒化物半導体を中心に、材料から応用に至る幅広い研究を行ないます。
『事業化へ向けた』「橋渡し」研究として、大学等における基礎研究の成果を選別し、効果的・効率的に応用に結びつけることを目的としています。
AlGaN/GaN HEMT

AlGaN/GaN HEMT

スイッチング特性

スイッチング特性

エバネッセント光の結合効果を利用した指向性LEDの模式図

エバネッセント光の結合効果を利用した
指向性LEDの模式図

発光パターン

発光パターン

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メンバー
清水 三聡
特任教授
清水 三聡
研究テーマ
GaNパワーエレクトロニクス
王 学論
特任教授
王 学論
研究テーマ
光デバイス
NIMS・名大 GaN評価基盤研究ラボラトリ
-天野・小出共同研究ラボ-
本共同研究ラボは当部門およびNIMSそれぞれに設置され、天野浩教授および小出康夫NIMS理事が相互にクロスアポイントメントすることにより共同ラボ長を務め、GaNパワーデバイスの開発に向けた結晶・エピ結晶・要素デバイスの結晶学的・電気的・光学的な評価・計測や評価・計測手法の研究開発を推進します。NIMSが保有する物性評価・分析技術を有効活用し効果的に研究を推進します。
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メンバー
天野 浩
教授
天野 浩
(兼務)
小出 康夫
特任教授
小出 康夫 Lab
研究テーマ
窒化ガリウム結晶・ウェハおよび要素デバイスの原子レベル評価およびマッピング評価計測
田中 敦之
特任准教授
田中 敦之
研究テーマ
GaNを用いた次世代パワーデバイスの創始
LIU, Ting
研究員
LIU, Ting
トヨタ先端パワーエレクトロニクス産学協同研究部門
窒化ガリウムパワー半導体デバイスの実現に向けて、この部門は以下の新しい技術を研究開発しています。
1.高精度で欠陥、不純物および損傷の制御性を可能にする加工技術
2.低損失・高スイッチングデバイスのためのデバイス設計技術
3.高性能の新しい窒化ガリウムパワーデバイスを使用したシステムアプリケーション
縦型GaN-MOSFETの構造設計

縦型GaN-MOSFETの構造設計

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メンバー
上杉 勉
特任教授
上杉 勉
研究テーマ
窒化ガリウムパワーデバイスの作製プロセスおよびデバイス構造の研究
近藤 健
特任講師
近藤 健
研究テーマ
窒化ガリウムパワーデバイスの作製プロセスおよびデバイス構造の研究
デンソー自動車用パワーエレクトロニクス産学協同研究部門
デンソー自動車用パワーエレクトロニクス産学協同研究部門では、将来のハイブリッド自動車、電気自動車、燃料電池自動車の電動化システムの大電力化・高周波化・高効率化を見据え、次世代パワー半導体の材料研究、デバイス研究、および応用システムの探索研究を推進します。
次世代パワー半導体の特長と応用

次世代パワー半導体の特長と応用

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メンバー
恩田 正一
特任教授
研究テーマ
次世代パワー半導体材料の結晶成長および高品位化技術
小島 淳
特任准教授
研究テーマ
次世代パワー半導体材料の高品位化技術と低コスト化技術の研究
豊田合成GaN先端デバイス応用産学協同研究部門
豊田合成は、1986年に赤﨑先生、天野先生、豊田中央研究所との共同研究の機会に恵まれ、GaN材料に関わる基礎研究をスタートしました。
その研究成果をもとにLED事業を立ち上げ、LEDの普及に邁進してまいりました。
研究から事業化および拡大・継続を経験する中で培ったコアコンピタンスを活用し、新たな事業の創出を目指します。
豊田合成
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メンバー
牛田 泰久
特任准教授
研究テーマ
GaNの応用研究
旭化成次世代デバイス産学共同研究部門
旭化成次世代デバイス産学協同研究部門では、単結晶窒化アルミニム基板の特徴を生かした新規デバイスの探索研究および応用技術の開発を推進し、新規事業の創出を目指します。
旭化成

2インチ単結晶AlN基板

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メンバー
SCHOWALTER, Leo John
特任教授
SCHOWALTER, Leo John
研究テーマ
単結晶窒化アルミニウムを用いた次世代デバイスの研究開発
杉山 直治
特任講師
杉山 直治
研究テーマ
紫外発光素子のための窒化物半導体材料および薄膜結晶に関する研究
張 梓懿
特任助教
張 梓懿
研究テーマ
窒化物半導体による紫外発光素子に関する研究開発
豊田中研GaNパワーデバイス産学協同研究部門
窒化ガリウムを用いたパワーデバイスの実用化を目指し、下記の観点から研究を進めます。
  1. ①不純物や点欠陥を高精度に制御するエピタキシャル成長技術
  2. ②ゲート絶縁膜・MOS界面技術
  3. ③低ダメージ加工、イオン注入などプロセス技術
  4. ④超低損失化を実現するデバイス設計技術"

図1:縦型トレンチGaNデバイス

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メンバー
冨田 一義
特任教授
冨田 一義
研究テーマ
GaNパワーデバイス用の高品質エピタキシャル成長
兼近 将一
特任教授
兼近 将一
研究テーマ
GaNパワーデバイスのプロセス技術およびデバイス設計・評価