エネルギー変換エレクトロニクス実験施設

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エネルギー変換エレクトロニクス実験施設

エネルギー変換エレクトロニクス実験施設は、名古屋大学未来材料・システム研究所のクリーンルーム実験棟です。本施設は、GaN研究における結晶成長・デバイスプロセス・評価を同一スペースで行える約1,000㎡(クラス1,000:露光エリア、クラス10,000:プロセスエリア)の大空間クリーンルームを有し、研究開発の加速を図ります。
エネルギー変換エレクトロニクス実験施設
紹介動画(2分37秒)
特徴

(1) GaNに特化したサブミクロン加工プロセスライン

  • 結晶成長から電極形成までアンダーワンルーフでGaNパワーデバイスをスループロセス
  • i 線ステッパをはじめとした、サブミクロンに対応した充実した加工設備
  • 専任の技術員による運営管理、プロセス受託
  • 多様な料金設定による設備共用システム

(2)ターゲットデバイス

  • GaN on GaN 縦型パワーデバイス
  • GaN 系光デバイス
  • AlGaN/GaN 横型HEMT デバイス
  • GaN 未来デバイス
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メンバー
須田 淳
教授(工学部)
須田 淳
施設長
恩田 正一
特任教授
恩田 正一
副施設長
加地 徹
特任教授
加地 徹
副施設長
笹岡 千秋
特任教授
笹岡 千秋
管理室長
飯島 彬文
研究員
飯島 彬文
品川 友宏
研究員
品川 友宏
西井 勝則
研究員
西井 勝則
丹羽 弘樹
研究員
丹羽 弘樹
山本 浩樹
研究員
山本 浩樹
横山 隆弘
研究員
横山 隆弘