名古屋大学

共同利用・共同研究

主な設備一覧

  • 【成膜装置】
    写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
    8元マグネトロンスパッタ装置 8元マグネトロンスパッタ装置 2インチカソード8本
    試料サイズ30 mm角
    RF電源 500 W 2台
    基板加熱:600℃
    1 kV Arイオンエッチング機構
    試料交換室に8サンプルバンク可
    微細加工プラットフォーム事務局
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    8元MBE装置 8元MBE装置 蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
    試料サイズ30 mm角
    高圧電源3台
    基板加熱:1000℃
    1kV Arイオンエッチング機構
    25 kV RHEED表面観察機能
    微細加工プラットフォーム事務局
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    3元マグネトロンスパッタ装置 3元マグネトロンスパッタ装置
    島津製作所 HSR-522
    4インチカソード3本,RF電源500 W 2台
    逆スパッタ機構,基盤回転,シャッター開閉機構による多層膜成長可能
    微細加工プラットフォーム事務局
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  • 【微細加工・プロセス装置】
    写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
    電子線露光装置 電子線露光装置
    日本電子 JBX6300FS
    加速電圧:25/50/100kV
    最小ビーム径:2nm
    ビーム電流:100pA-2nA
    重ね合わせ精度:±9nm
    最大試料サイズ:8inchφ
    微細加工プラットフォーム事務局
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    マスクアライナ マスクアライナ
    キャノン PLA-501(S)
    厚さ0.7μm以下の不定形試料に対応 微細加工プラットフォーム事務局
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    ECR-SIMSエッチング装置 ECR-SIMSエッチング装置 ECRイオンガン:入江工研社製RGB-114
    マイクロ波入力150 W,加速電圧600 V,イオン照射径30mm
    SIMS検出器:PFEIFFER社製 EDP400
    分析質量1-512 amu
    試料角度調整,回転機構付き
    微細加工プラットフォーム事務局
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    イオン注入装置 イオン注入装置
    日新電機 NH-20SR-WMH
    加速電圧:5-200kV
    注入電流1 µA~100 µA
    微細加工プラットフォーム事務局
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    フェムト秒レーザー加工分析システム フェムト秒レーザー加工分析システム
    輝創 UFL-Hybrid
    光源:1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000)
    高調波発生ユニット:40% @520 nm, 5% @347 nm
    (加工ステーション)
    最大試料寸法:100 mm x 100 mm
    加工スポット:3.5 µmφ
    (分析ステーション)
    時間分解蛍光・磁気分析
    (光干渉断層撮影ステーション)
    撮影エリア:10 mm x 10 mm x 1.6 mm
    深さ分解能:7 µ
    微細加工プラットフォーム事務局
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    電気炉 電気炉
    光洋リンドバーグ MODEL272-2
    温度範囲:400-1100℃ 微細加工プラットフォーム事務局
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    急速加熱処理装置 急速加熱処理装置
    AG Associates Heatpulse 610
    温度範囲:400~1200℃
    昇温速度:200℃/sec
    微細加工プラットフォーム事務局
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  • 【電子顕微鏡及び関連装置】
    写真 設備(設備群)名 仕様 設置場所
    反応科学超高圧走査透過電子顕微鏡 反応科学超高圧
    走査透過電子顕微鏡
    JEM 1000K RS
    TEM点分解能:0.15nm以下
    STEM機能プローブ径:1nm
    加速電圧: 1000kV, 800kV, 600kV, 400kV
    0.1気圧までの各種ガス環境下でのその場観察
    EELSによる元素分析機能
    3D観察
    超高圧電子顕微鏡施設
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    高分解能電子状態計測走査透過型電子顕微鏡 高分解能電子状態計測走査透過型電子顕微鏡
    JEM-ARM200F(Cold)
    (収差補正電子顕微鏡)
    TEM点分解能:0.19nm
    STEM機能プローブ径:有<60pm
    照射レンズ系に収差補正機能を搭載
    加速電圧: 200,80kV0
    冷電界放出電子銃
    TEM, STEM, EDS, EELS
    電子線ホログラフィー
    超高圧電子顕微鏡施設
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    電界放出走査透過電子顕微鏡 電界放出走査透過電子顕微鏡
    JEM-10000BU
    (収差補正電子顕微鏡)
    TEM点分解能:0.11nm
    STEM機能プローブ径:有<70pm
    照射レンズ系、結像レンズ系のそれぞれに収差補正機能を搭載 
    加速電圧: 200,80kV
    電界放出電子銃
    TEM, STEM, EDS, EELS
    電子線ホログラフィー
    超高圧電子顕微鏡施設
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    高分解能透過型電子顕微鏡システム 高分解能透過型電子顕微鏡システム
    JEM-2100F-HK
    TEM点分解能:0.2nm
    STEM機能
    加速電圧: 200kV
    電界放出電子銃
    TEM, STEM, EDS
    超高圧電子顕微鏡施設
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    透過電子顕微鏡システム 透過電子顕微鏡システム
    JEM-2100plus
    TEM点分解能:0.25nm
    STEM機能有
    プローブ径:3.0nm
    超高圧電子顕微鏡施設
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    電子分光走査透過電子顕微鏡 電子分光走査透過電子顕微鏡
    JEM2100M
    TEM点分解能:0.23nm
    STEM機能有
    プローブ径:1.0nm
    加速電圧:200kV
    EELS, 波長分散X線分光器
    カソードルミネッセンス(CL)
    100K-1000Kの温度範囲で計測可
    超高圧電子顕微鏡施設
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    高速加工観察分析装置 高速加工観察分析装置
    MI-4000L
    (FIB-SEM)
    加速電圧:30kV (FIB, SEM)
    マイクロサンプリング機能
    FE-SEM、EDS およびEDSD機能
    超高圧電子顕微鏡施設
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    集束イオンビーム加工機FB-2100(FIB) 集束イオンビーム加工機FB-2100(FIB) 加速電圧: 40kV
    マイクロサンプリング
    CAD機能
    超高圧電子顕微鏡施設
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    アルゴンイオン研磨装置 アルゴンイオン研磨装置
    PIPSⅡ
    イオン銃:低エネルギー集束電極ペニングイオン銃 2式
    イオンエネルギー:100eV~8keV
    試料サイズ:3mm
    試料回転:1~6rpmまで可変
    XY切り替え範囲:±0.5mm
    試料観察:双眼顕微鏡、デジタルズームマイクロスコープ
    冷却ステージ:液体窒素(保持時間6~7時間)
    試料冷却:-120℃まで冷却可能
    超高圧電子顕微鏡施設
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    その他 試料作製装置群 その他 試料作製装置群 切断、機械研磨、化学研磨、FIB用サンプル加工等、無機材料系試料作製のための各種装置群 超高圧電子顕微鏡施設
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    三次元電子顕微鏡 三次元電子顕微鏡
    FEI Tecnai G2 300kV
    加速電圧:300kW、熱電界放出型電子銃。エネルギーフィルタ、4kCCD、傾斜ステージ、冷却ステージを備え、クライオ単粒子解析、クライオトモグラフィーが可能 齋藤晃研究室
    電界放射型分析走査電子顕微鏡 電界放射型分析走査電子顕微鏡
    日本電子 JSM-6330F
    線源:冷陰極電界放射型電子銃
    加速電圧:0.5~30kV
    倍率:10~500,000
    共通機器管理室
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    エネルギー分散型X線分析装置付走査型電子顕微鏡 エネルギー分散型X線分析装置付走査型電子顕微鏡
    日立ハイテクノロジーズ S3000N
    SEMEDXⅢTypeN1
    SEI像分解能:3.0nm@ 25kV
    COMPO像分解能:4.0nm
    加速電圧:0.3~30kV
    共通機器管理室
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    透過電子顕微鏡システム 透過電子顕微鏡システム
    日本電子 JEM-2010F
    加速電圧200kV
    点分解能0.19nm
    STEM機能
    共通機器管理室
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    走査型電子顕微鏡 走査型電子顕微鏡
    日本電子 JSM-6301F
    線源:冷陰極電界放射型電子銃
    加速電圧:0.5~30kV
    倍率:10~500,000
    エネルギー分散型分光器による組成分析可能
    超高圧電子顕微鏡施設
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  • 【分析・計測装置】
    写真 設備(設備群)名 仕様 設置場所
    薄膜X線回折装置 薄膜X線回折装置
    RIGAKU ATX-G
    Cu Kα線 18kW 多層膜ミラー,Geモノクロメーター付き
    測定モード:θ-2θスキャン,ロッキングカーブ,逆格子面マッピング,膜面内φスキャン,φ-2θχスキャンなど
    微細加工プラットフォーム事務局
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    X線回折装置 X線回折装置 試料水平型、加熱ステージ
    RIGAKU RINT2500TTR
    Cu Kα線 18kW, 試料水平型
    測定モード:θ -2θ,θs/θd連動スキャン,θs,θd単独スキャンなど
    共通機器管理室
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    原子間力顕微鏡 原子間力顕微鏡
    Bruker AXS Dimension3100
    スキャン領域:XY方向 約90μm,Z方向 約6μm
    試料サイズ:最大150 mmφ-12mmt
    測定モード AFM,MFM,EFM,LFM,表面電位顕微鏡,電流像,リソグラフィー
    微細加工プラットフォーム事務局
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    磁気特性評価システム群 磁気特性評価システム群 交番磁界勾配型磁力計:感度10^-8emu,20kOe
    振動試料型磁力計:感度10^-5emu,15kOe
    トルク磁力計:2×10^-3erg,15kOe
    磁気光学スペクトロメータ:2×10^-3deg,16kOe
    微細加工プラットフォーム事務局
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    X線光電子分光装置 X線光電子分光装置
    VG ESCALAB250
    線源:Mg/AlツインアノードおよびAlモノクロX線源
    Arスパッタ銃による試料エッチング可能
    角度分解測定用マニュピレータ
    微細加工プラットフォーム事務局
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    X線光電子分光装置 X線光電子分光装置
    島津製作所 ESCA-3300型
    φ100μmの微小部分分析可能
    X線銃:Mg/Alツインアノード
    出力最大450W(15kV-30mA)
    エッチングイオン銃
    共通機器管理室
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    イメージングXPSマイクロプローブ イメージングXPSマイクロプローブ
    サーモフィッシャー ESCALAB 250Xi
    UPS, XPS両光電子分光計測が可能
    XPS計測時:Mg, Al ツインアノード利用可
    最高エネルギー分解能:0.5eV程度@Alkα
    最高空間分解能:20μm
    共通機器管理室
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    高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置 高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置
    セイコーインスツルメンツ SPS7800
    シーケンシャル型
    波長範囲 175~800nm
    最大出力 1.2kW
    オートサンプラーなし
    共通機器管理室
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    CHNコーダー CHNコーダー
    ヤナコ分析工業
    自己積分法式(デュアルピストンポンプ使用)
    絶対誤差 ±0.3%以内
    オートサンプラーあり
    共通機器管理室
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    電動式小型遠心圧縮機試験装置 電動式小型遠心圧縮機試験装置
    IHI Tx40MS
    共通機器管理室
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    1成分レーザドップラー流速計測装置 1成分レーザドップラー流速計測装置
    TSI 1D-PDPA/FSA3500P
    共通機器管理室
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  • 【未来エレクトロニクス集積研究センター装置】
    写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
    イオン注入装置
    ULVAC IMX-3500
    試料サイズ:不定形~8インチウエハー
    エネルギ:30~200keV
    最大ビーム電流:11B+ 400μA(200keV)
    31P+ 600μA(200keV)
    最小ビーム電流:150nA
    イオン種:B、P、As、Si、Ge、Sb、In 他
    C-TEFs管理室
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    i線ステッパ
    Nikon NSR-2205i12D
    試料サイズ:15mm2、2インチウエハーの1/4形状(扇形)、2インチウエハー
    露光光源:i線(波長365 nm)
    解像度:350 nm
    N.A.:0.5~0.63
    縮小倍率:5分の1倍
    露光範囲:22 mm2(ウエハー上)
    レチクル:6インチ石英ガラス
    総合アライメント精度:55 nm以下
    C-TEFs管理室
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    ナノインプリント
    サイヴァクス X500
    試料サイズ:不定形~8インチウエハー
    被転写材料:UV硬化樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂
    転写方式:一括転写
    UV機能:波長365nm/385nm、照射面積200mmΦ
    C-TEFs管理室
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    レーザー顕微鏡
    オリンパス OLS-4100
    光源:405nm半導体レーザー
    倍率:最大17280倍
    高さ測定範囲:10mm
    表示分解能:0.001μm
    光学ズーム:1x~8x
    測定:レーザー光波長405nm、最大出力1mW
    6穴明視野電動レボルバ
    XYステージ:100mm×100mm電動ステージ
    C-TEFs管理室
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    RCA洗浄装置
    ダルトン 18-MR12
    試料サイズ:15mm2、2インチウエハーの1/4形状(扇形)、2インチウエハー、4インチウエハー
    薬液槽:キャロス、SC1、SC2、塩酸、HF、BHF、TMAH
    水洗層:QDR機能付き
    乾燥:2インチ、4インチウエハーは装置内蔵スピンドライヤー、その他は窒素ガスブロー乾燥
    C-TEFs管理室
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    有機洗浄装置
    ダルトン 18-MU11
    試料サイズ:15mm2、2インチウエハーの1/4形状(扇形)、2インチウエハー、4インチウエハー洗浄槽:レジスト剥離液、NMP、IPA
    水洗層:QDR機能付き
    乾燥:2インチ、4インチウエハーは装置内蔵スピンドライヤー、その他は窒素ガスブロー乾燥
    C-TEFs管理室
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    接触式表面形状システム
    Bruker Dektak XT-A
    試料サイズ:不定形~6インチウエハー(厚さ50mmまで)
    垂直表示レンジ:6.5nm~1mm
    垂直分解能:0.1nm
    測定距離:50um~55mm
    C-TEFs管理室
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    ICPドライエッチャ4
    ULVAC CE-S
    試料サイズ:不定形~6インチウエハー
    被エッチング材:GaN、メタル
    使用ガス:Cl2、BCl3、O2、Ar、N2、He(冷却用)
    アンテナ高周波電源:13.56MHz水晶発振、最大1000W
    バイアス高周波電源:12.5MHz水晶発振、最大100W
    基板温度:-15~35℃
    C-TEFs管理室
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    ALD(プラズマ式/サーマル式)
    Ultratech/CambridgeNanoTech Fiji G2
    試料サイズ:不定形~4インチウエハー
    プロセスチャンバー:4プラズマガスライン、6プリカーサーライン
    プロセスモード:Continuous ModeT(連続成膜モード)、Exposure Mode(暴露時間制御モード)、Plasma Mode(プラズマ成膜モード)
    電源:300W RF 電源及び、チューナー付きICP リモートパルスプラズマラジカルジェネレータ
    プリカーサーライン:6ライン(H2O ラインを含む)
    プリカーサーヒーター:ヒーター温度200℃まで制御可能
    使用ガス:N2、O2、Ar
    C-TEFs管理室
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    LP-CVD
    samco LPD-1200
    試料サイズ:2インチウエハー
    デポ膜:Poly-Si
    形式:横型開閉式環状炉
    温度制御:3ゾーンPID制御、Max1000℃、均熱長200mm
    使用ガス:SiH4、Si2H6、4%PH3-Ar、BCl3、N2
    C-TEFs管理室
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    ICPドライエッチャ1
    samco RIE-200iP
    試料サイズ:不定形~8インチウエハー(8インチトレー搬送式装置:小径ウエハーは複数枚同時処理可能)
    被エッチング材:SiO2、SiN
    使用ガス:CF4、CHF3、O2、Ar、He(冷却用)
    IPC高周波電源:13.56MHz水晶発振、最大1000W
    Bias高周波電源:13.56MHz水晶発振、最大300W
    C-TEFs管理室
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    ICPドライエッチャ2
    samco RIE-200iP
    試料サイズ:不定形~8インチウエハー(8インチトレー搬送式装置:小径ウエハーは複数枚同時処理可能)
    被エッチング材:GaN、Poly-Si
    使用ガス:Cl2、BCl3、O2、Ar、N2
    IPC高周波電源:13.56MHz水晶発振、最大1000W
    Bias高周波電源:13.56MHz水晶発振、最大300W
    C-TEFs管理室
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    P-CVD1
    samco PD-220NL
    試料サイズ:不定形~8インチウエハー(8インチトレー搬送式装置:小径ウエハーは複数枚同時処理可能)
    成膜種:SiO2、SiN、TEOS-SiO2
    使用ガス:TEOS、O2、N2O、C2F6、SiH4、NH3、H2
    高周波電源:13.56MHz水晶発振、最大300W
    下部電極加熱:最大450℃
    C-TEFs管理室
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    ICPドライエッチャ3
    ULVAC NE-550EX
    試料サイズ:不定形~8インチウエハー(200mmΦトレー搬送式装置:小径ウエハーは複数枚同時処理可能)
    被エッチング材:GaN
    使用ガス:Cl2, BCl3, O2, Ar, He(冷却用), SiCl4, SF6
    アンテナ高周波電源:13.56MHz水晶発振、最大1000W
    バイアス高周波電源:12.5MHz水晶発振、最大100W
    基板温度:20~170℃
    防着版:加熱方式防着版(常温~200℃)
    C-TEFs管理室
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    EB蒸着装置
    ULVAC ei-5
    試料サイズ:不定形~4インチウエハー
    基板保持:基板落し込み方式(2インチウエハーはアダプターを使用)
    EB電源:出力10kW、シングル
    蒸着金属:Al、Ti、Ni,Au、Pt等
    ハース容量:40ml×6
    二次電子吸収機構:有
    蒸着源から試料までの距離:680mm
    基板加熱:赤外線ランプ加熱(最高温度350℃)
    C-TEFs管理室
    c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
    スパッタ装置
    ULVAC CS-L
    試料サイズ:不定形~8インチウエハー
    膜方式:デポアップ
    スパッタ金属:Ti、Al、Ni
    使用ガス:Ar, N2
    C-TEFs管理室
    c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
    光干渉膜厚計(自動マッピング式)
    FILMETRICS F50
    試料サイズ:不定形~12インチウエハー
    光源:ハロゲン
    スポットサイズ:1.5mm
    測定波長範囲:380~1050nm
    膜厚測定範囲:20nm~70um
    C-TEFs管理室
    c-tefs*@*imass.nagoya-u.ac.jp
    ダイボンダ
    West bond 7200CR
    ディスペンス方法 エアーによるディスペンス
    ピックアップ方法 バキュームによるピックアップ
    本田善央准教授
    スクライバー
    TECDIA TEC-2004TMR
    半自動スクライバー
    4inchまで対応
    本田善央准教授
    高温スパッタ成膜装置
    ULVAC QAM4
    試料サイズ:不定形~2インチウエハー
    膜方式:デポアップ
    スパッタ膜:AlN、BN
    使用ガス:Ar, N2
    本田善央准教授
    集束イオンビーム装置
    HITACHI NX2000
    FIBカラム
     分解能 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
     加速電圧 0.5~30 kV
     ビーム電流 0.05 pA ~ 100 nA
    FE-SEMカラム
     分解能 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
     加速電圧 0.5~30 kV
     電子銃 冷陰極電界放出型
    検出器
     標準検出器 In-lens SE検出器/チャンバーSE検出器/反射電子検出器
    ステージ X:0 ~ 205 mm
     Y:0 ~ 205 mm
     Z:0 ~ 10 mm
     R:0 ~ 360°エンドレス
     T:-5 ~ 60°
    本田善央准教授
    走査型電子顕微鏡(in-lensタイプ)
    HITACHI SU9000
    二次電子分解能 1.0nm(加速電圧15kV)
    1.6nm(加速電圧1kV)(オプション)
    倍率 ×25~×800,000
    プローブ電流 1pA~100nA
    最大搭載可能試料サイズ 150mm径(標準)
    搭載可能付属装置 EDX、EBSD
    本田善央准教授
    大面積カソードルミネッセンス
    HORIBA WD201N
    SEM:熱陰極型SEM
    高速撮影CL:1mm角に対して1min以内
    本田善央准教授
    仕事関数測定装置
    RIKEN KENKI AC-3
    光子エネルギー範囲:4.0~7.0eV 本田善央准教授
    エミッション顕微鏡 HAMAMATSU
    PHOTONICS PHEMOS-1000
    EMISSION mode: Si CCDカメラ
    OBIRCH mode: 405nmレーザ
    本田善央准教授
    卓上研磨機
    Nanofactor Fact-200
    ラップ定盤 直径Φ 200~230mm
    ラップ定盤回転数 10rpm~200rpm
    本田善央准教授
    ワイヤボンダ
    West bond 7476D
    ボンディング方式 US・TC又はサーモソニック方式
    荷重 18g~90g(調整可能)
    対応ワイヤー 13μ mΦ ~50μ mΦ までの金線・アルミ線
    波数 63KHz
    超音波出力 High Power設定時 最大4W
    Low Power設定時 最大2WHigh Power、超音波印加時間 0~999ms 1ms単位で設定可能
    本田善央准教授

(注)募集研究テーマを実施するに当たっては、本研究所の設備(主な設備名は上記のとおり)を利用することができます。
なお、利用を希望する場合は、本研究所の担当教員と十分な打合せをしてください。
メール送信の際は@前後の*を除いてください。