主な設備

主な設備一覧

成膜装置

写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
8元マグネトロンスパッタ装置 8元マグネトロンスパッタ装置 2インチカソード8本
試料サイズ30 mm角
RF電源 500 W 2台
基板加熱:600℃
1 kV Arイオンエッチング機構
試料交換室に8サンプルバンク可
微細加工ナノプラットフォーム
info*@*nanofab.engg.nagoya-u.ac.jp
8元MBE装置 8元MBE装置 蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
試料サイズ30 mm角
高圧電源3台
基板加熱:1000℃
1kV Arイオンエッチング機構
25 kV RHEED表面観察機能
微細加工ナノプラットフォーム
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3元マグネトロンスパッタ装置 3元マグネトロンスパッタ装置 島津製作所HSR-522
4インチカソード3本,RF電源500 W 2台
逆スパッタ機構,基盤回転,シャッター開閉機構による多層膜成長可能
微細加工ナノプラットフォーム
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微細加工・プロセス装置

写真 設備(設備群)名 仕様 連絡先
電子線露光装置 電子線露光装置 日本電子社製 JBX6300FS
加速電圧:25/50/100kV
最小ビーム径:2nm
ビーム電流:100pA-2nA
重ね合わせ精度:±9nm
最大試料サイズ:8inchφ
微細加工ナノプラットフォーム
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マスクアライナ マスクアライナ キャノン社製PLA-501(S)
厚さ0.7μm以下の不定形試料に対応
微細加工ナノプラットフォーム
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反応性イオンエッチング装置 反応性イオンエッチング装置 サムコ社製 RIE-1C
エッチングガス:CF4、O2
高周波電力:150W
微細加工ナノプラットフォーム
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ECR-SIMSエッチング装置 ECR-SIMSエッチング装置 ECRイオンガン:入江工研社製 RGB-114 マイクロ波入力150 W,加速電圧600 V,イオン照射径30mm
SIMS検出器:PFEIFFER社製 EDP400
分析質量1-512 amu
試料角度調整,回転機構付き
微細加工ナノプラットフォーム
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イオン注入装置 イオン注入装置 日新電機社製 NH-20SR-WMH
加速電圧:5-200kV
注入電流1 µA~100 µA
微細加工ナノプラットフォーム
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フェムト秒レーザー加工分析システム フェムト秒レーザー加工分析システム 輝創 UFL-Hybrid
光源:1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000)
高調波発生ユニット:40% @520 nm, 5% @347 nm
(加工ステーション)
最大試料寸法:100 mm x 100 mm
加工スポット:3.5 µmφ
(分析ステーション)
時間分解蛍光・磁気分析
(光干渉断層撮影ステーション)
撮影エリア:10 mm x 10 mm x 1.6 mm
深さ分解能:7 µ
微細加工ナノプラットフォーム
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電気炉 電気炉 光洋リンドバーグ社製 MODEL272-2
温度範囲:400-1100℃
微細加工ナノプラットフォーム
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急速加熱処理装置 急速加熱処理装置 AG Associates社製 Heatpulse 610
温度範囲:400~1200℃
昇温速度:200℃/sec
微細加工ナノプラットフォーム
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電子顕微鏡及び関連装置

写真 設備(設備群)名 仕様 設置場所
反応科学超高圧走査透過電子顕微鏡 反応科学超高圧
走査透過電子顕微鏡
JEM 1000K RS
TEM点分解能:0.15nm以下
STEM機能プローブ径:1nm
加速電圧: 1000kV, 800kV, 600kV, 400kV
0.1気圧までの各種ガス環境下でのその場観察
EELSによる元素分析機能
3D観察
微細構造解析ナノプラットフォーム
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高分解能電子状態計測走査透過型電子顕微鏡 高分解能電子状態計測走査透過型電子顕微鏡
JEM-ARM200(Cold)
(収差補正電子顕微鏡)
TEM点分解能:0.19nm
STEM機能プローブ径:有<60pm
照射レンズ系に収差補正機能を搭載
加速電圧: 200,80kV0
冷電界放出電子銃
TEM, STEM, EDS, EELS
電子線ホログラフィー
微細構造解析ナノプラットフォーム
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電界放出走査透過電子顕微鏡 電界放出走査透過電子顕微鏡
JEM-10000BU
(収差補正電子顕微鏡)
TEM点分解能:0.11nm
STEM機能プローブ径:有<70pm
照射レンズ系、結像レンズ系のそれぞれに収差補正機能を搭載 
加速電圧: 200,80kV
電界放出電子銃
TEM, STEM, EDS, EELS
電子線ホログラフィー
微細構造解析ナノプラットフォーム
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汎用電子顕微鏡 汎用電子顕微鏡 JEM-2100F-HK 超高圧電子顕微鏡施設
汎用電子顕微鏡 汎用電子顕微鏡 H-800 200kV 超高圧電子顕微鏡施設
電子分光走査透過電子顕微鏡 電子分光走査透過電子顕微鏡
JEM2100M
TEM点分解能:0.23nm
STEM機能有
プローブ径:1.0nm
加速電圧:200kV
EELS, 波長分散X線分光器
カソードルミネッセンス(CL)
100K-1000Kの温度範囲で計測可
微細構造解析ナノプラットフォーム
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高速加工観察分析装置 高速加工観察分析装置
MI-4000L
(FIB-SEM)
加速電圧:30kV (FIB, SEM)
マイクロサンプリング機能
FE-SEM、EDS およびEDSD機能
微細構造解析ナノプラットフォーム
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集束イオンビーム加工機FB-2100(FIB) 集束イオンビーム加工機FB-2100(FIB) 加速電圧: 40kV
マイクロサンプリング
CAD機能
微細構造解析ナノプラットフォーム
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アルゴンイオン研磨装置 アルゴンイオン研磨装置
PIPSⅡ
イオン銃:低エネルギー集束電極ペニングイオン銃 2式
イオンエネルギー:100eV~8keV
試料サイズ:3mm
試料回転:1~6rpmまで可変
XY切り替え範囲:±0.5mm
試料観察:双眼顕微鏡、デジタルズームマイクロスコープ
冷却ステージ:液体窒素(保持時間6~7時間)
試料冷却:-120℃まで冷却可能
微細構造解析ナノプラットフォーム
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その他 試料作製装置群 その他 試料作製装置群 切断、機械研磨、化学研磨、FIB用サンプル加工等、無機材料系試料作製のための各種装置群 微細構造解析ナノプラットフォーム
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三次元電子顕微鏡 三次元電子顕微鏡 FEI Tecnai G2 300kV 齋藤晃研究室
電界放射型分析走査電子顕微鏡 電界放射型分析走査電子顕微鏡 日本電子JSM-6330F & JED-2140GS 共通機器室
shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp
走査型電子顕微鏡 走査型電子顕微鏡 日本電子社製 JSM-6301F
線源:冷陰極電界放射型電子銃
加速電圧:0.5~30kV
倍率:10~500,000
エネルギー分散型分光器による組成分析可能
微細構造解析ナノプラットフォーム
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分析・計測装置

写真 設備(設備群)名 仕様 設置場所
薄膜X線回折装置 薄膜X線回折装置 RIGAKU社製 ATX-G
Cu Kα線 18kW 多層膜ミラー,Geモノクロメーター付き
測定モード:θ-2θスキャン,ロッキングカーブ,逆格子面マッピング,膜面内φスキャン,φ-2θχスキャン
など
微細加工ナノプラットフォーム
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X線回折装置 X線回折装置 RIGAKU RINT2500TTR 共通機器室
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原子間力顕微鏡 原子間力顕微鏡 Bruker社製 AXS Dimension3100
スキャン領域:XY方向 約90μm,Z方向 約6μm
試料サイズ:最大150 mmφ-12mmt
測定モード AFM,MFM,EFM,LFM,表面電位顕微鏡,電流像,リソグラフィー
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磁気特性評価システム群 磁気特性評価システム群 交番磁界勾配型磁力計:感度10^-8emu,20kOe
振動試料型磁力計:感度10^-5emu,15kOe
トルク磁力計:2×10^-3erg,15kOe
磁気光学スペクトロメータ:2×10^-3deg,16kOe
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X線光電子分光装置 X線光電子分光装置 VG社製 ESCALAB210
線源:Mg/AlツインアノードおよびAlモノクロX線源
Arスパッタ銃による試料エッチング可能
角度分解測定用マニュピレータ
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X線光電子分光装置 X線光電子分光装置 島津製作所ESCA-3300型 共通機器室
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高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置 誘導結合プラズマ発光分光分析装置 高周波誘導結合プラズマ発光分光分析
ICP atomic emission spectrometer
共通機器室
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CHNコーダー CHNコーダー ヤナコ分析工業 共通機器室
shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp
電動式小型遠心圧縮機試験装置 電動式小型遠心圧縮機試験装置 Tx40MS 共通機器室
shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp
ナノ構造解析用液体クロマトグラフ質量分析計 ナノ構造解析用液体クロマトグラフ質量分析計 Micromass LCT 共通機器室
shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp
1成分レーザドップラー流速計測装置 1成分レーザドップラー流速計測装置 1D-PDPA/FSA3500P 共通機器室
shared.equip*@*imass.nagoya-u.ac.jp

未来エレクトロニクス集積研究センター装置

写真 設備(設備群)名 仕様
集束イオンビーム装置
HITACHI NX2000
FIBカラム
 分解能 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
 加速電圧 0.5~30 kV
 ビーム電流 0.05 pA ~ 100 nA
FE-SEMカラム
 分解能 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
 加速電圧 0.5~30 kV
 電子銃 冷陰極電界放出型
検出器
 標準検出器 In-lens SE検出器/チャンバーSE検出器/反射電子検出器
ステージ X:0 ~ 205 mm
 Y:0 ~ 205 mm
 Z:0 ~ 10 mm
 R:0 ~ 360°エンドレス
 T:-5 ~ 60°
大面積カソードルミネッセンス
HORIBA WD201N
SEM:熱陰極型SEM
高速撮影CL:1mm角に対して1min以内
エミッション顕微鏡 HAMAMATSU
PHOTONICS PHEMOS-1000
EMISSION mode: Si CCDカメラ
OBIRCH mode: 405nmレーザ
走査型電子顕微鏡(in-lensタイプ)
HITACHI SU9000
二次電子分解能 1.0nm(加速電圧15kV)
1.6nm(加速電圧1kV)(オプション)
倍率 ×25~×800,000
プローブ電流 1pA~100nA
最大搭載可能試料サイズ 150mm径(標準)
搭載可能付属装置 EDX、EBSD

(注)募集研究テーマを実施するに当たっては、本研究所の設備(主な設備名は上記のとおり)を利用することができます。
なお、利用を希望する場合は、本研究所の担当教員と十分な打合せをしてください。
メール送信の際は@前後の*を除いてください。